[发明专利]柔性AMOLED基板及其制作方法有效
申请号: | 201810055710.2 | 申请日: | 2018-01-19 |
公开(公告)号: | CN108054192B | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 喻蕾;李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人: | 林才桂;闻盼盼 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 amoled 及其 制作方法 | ||
本发明提供一种柔性AMOLED基板及其制作方法。本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括:形成柔性衬底,所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区;在所述柔性衬底上形成缓冲层,去除缓冲层上位于弯折区的部分,保留缓冲层上位于显示区的部分,使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小,提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性,从而提高生产良率。本发明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得,所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小,柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好,生产良率高。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种柔性AMOLED基板及其制作方法。
背景技术
平面显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。
OLED显示器件以其自发光、全固态、高对比度等优点,成为近年来最具潜力的新型显示器件。而OLED显示器件最大的特点在于可以实现柔性显示,采用柔性衬底制成重量轻、可弯曲、便于携带的柔性显示器件是OLED显示器件的重要发展方向。
OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED,PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)两大类,即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中,AMOLED具有呈阵列式排布的像素,属于主动显示类型,发光效能高,通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。
图1为现有的柔性AMOLED基板的结构示意图,如图1所示,所述柔性AMOLED基板包括柔性衬底110,所述柔性衬底110包括显示区及位于显示区外围的弯折(bending)区,所述柔性衬底110的显示区与弯折区上均设有缓冲层120,所述柔性衬底110的显示区上还设有位于缓冲层120上的有源层200、位于有源层200与缓冲层120上的栅极绝缘层400、位于栅极绝缘层400上的栅极410、位于栅极410与栅极绝缘层400上的层间介电层500、位于层间介电层500上的源极610与漏极620、位于源极610、漏极620、层间介电层500上的平坦层700、位于平坦层700上的阳极850、位于平坦层700、阳极850上的像素定义层900、位于阳极850上的OLED发光层950;所述柔性衬底110的弯折区上还设有位于缓冲层120上的栅极绝缘层400、位于栅极绝缘层400上的层间介电层500、位于层间介电层500上的平坦层700、位于平坦层700上的像素定义层900;由于所述柔性衬底110的弯折区上设有缓冲层120、栅极绝缘层400、层间介电层500三个无机绝缘层,因此无机绝缘层的厚度较大,使得所述柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较差,容易断裂,严重影响柔性AMOLED基板的生产良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性AMOLED基板的制作方法,能够提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性,从而提高生产良率。
本发明的目的还在于提供一种柔性AMOLED基板,弯折区的耐弯折性较好,生产良率高。
为实现上述目的,本发明提供一种柔性AMOLED基板的制作方法,包括:形成柔性衬底,所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区;在所述柔性衬底上形成缓冲层,去除缓冲层上位于弯折区的部分,保留缓冲层上位于显示区的部分。
所述柔性AMOLED基板的制作方法具体包括如下步骤:
步骤1、提供刚性载板,在所述刚性载板上形成柔性衬底,所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区;
在所述柔性衬底上形成缓冲层,在所述缓冲层上形成多晶硅层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的