[发明专利]一种显示面板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201810055685.8 | 申请日: | 2018-01-19 |
| 公开(公告)号: | CN108365129B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
| 发明(设计)人: | 吕迅;黄秀颀;蔡世星;崔志远;梁超 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
本申请涉及显示领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置,用以解决现有技术中平坦化层在阳极刻蚀过程中被破坏的问题。该显示面板结构包括:在平坦化层上形成刻蚀阻挡层;在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层;采用光刻工艺,对所述导电膜层进行处理,形成图案化的阳极;其中,所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。本申请提供的技术方案利用刻蚀阻挡层保护平坦化层,避免在阳极刻蚀过程中平坦化层被刻蚀阳极时所使用的灰化材料腐蚀,使在平坦化层上形成的像素定义层厚度不均,导致随后蒸镀发光层位置不准确,引发显示性能不佳的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
背景技术
在显示技术领域中,显示层结构如图1所示,需要说明的是,图1仅示出膜层位置及相互关系,不体现实际的膜层厚度,实际的膜层厚度可以根据生产的实际需要进行调整。上述显示层包括平坦化层11、阳极12、像素定义层13等膜层,其中,阳极12可以选用氧化铟锡(ITO)和铝(Al)的材质,形成ITO和Al叠层结构,其中Al位于ITO与平坦化层11之间。
在制作阳极12的过程中,需要对Al层进行干刻,在干刻的过程中,需要在Al层上形成具有图案的光刻胶,利用包含有氯气的反应气体将光刻胶未覆盖区域的Al层刻蚀成所需图案。在干刻完成后,光刻胶表面会残留部分氯气分子,为避免残留的氯气分子在后续工艺中遇水形成酸性溶液对膜层结构造成影响,需要通过灰化的方式除去Al层上的光刻胶,灰化具体指利用强氧化剂使光刻胶溶化,从而使光刻胶与Al层分离。
在强氧化剂的作用下,光刻胶溶化的同时,由于平坦化层11与光刻胶同为有机物,具有相似的结构与特性,导致平坦化层11也会受到灰化的影响形成如图1所示的凹槽a(图示中虚线框所示),随后在平坦化层11之上形成的像素定义层13整体厚度不均,随后制作发光层时需要将具有图案的掩膜版放置在像素定义层上,进而在掩膜版未遮盖的位置蒸镀发光层。如图1所示,由于现有技术中的像素定义层13厚度不均,导致掩膜版与遮盖的像素定义层13之间存在空隙,使掩模版遮盖位置的像素定义层13中也蒸镀上发光层,导致发光层蒸镀位置不准确,直接影响发光层的发光效果,使显示面板出现显示性能不佳的情况。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置,用以解决平坦化层在阳极刻蚀过程中被破坏导致显示性能不佳的问题。
本申请实施例采用下述技术方案:
一种显示面板制作方法,包括:
在平坦化层上形成刻蚀阻挡层;
在所述刻蚀阻挡层上形成导电膜层;
采用光刻工艺,对所述导电膜层进行处理,形成图案化的阳极;
其中,所述刻蚀阻挡层用于阻挡所述平坦化层被形成图案化的阳极时所使用的灰化材料腐蚀。
优选的,所述在平坦化层上形成刻蚀阻挡层,具体包括:
采用沉积工艺,在所述平坦化层上形成覆盖过孔的无机硅化合物膜层;
对过孔所在位置处的无机硅化合物膜层进行刻蚀,形成具有第一图案的刻蚀阻挡层。
优选的,所述在平坦化层上形成刻蚀阻挡层,具体包括:
采用沉积工艺,在所述平坦化层上形成覆盖过孔的金属膜层,作为刻蚀阻挡层。
优选的,在形成图案化的阳极之后,还包括:
以所述图案化的阳极作为掩膜版,对所述刻蚀阻挡层进行刻蚀,形成具有第二图案的刻蚀阻挡层。
优选的,在形成图案化的阳极之后,所述方法还包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





