[发明专利]薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管、显示模组

说明书

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管、显示模组。其中，薄膜晶体管包括：栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极，与半导体层接触的多晶硅层。由于多晶硅层能够提高半导体层的电子迁移率，从而提升开关速度与降低薄膜晶体管的功耗。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管、显示模组。

背景技术

显示技术的种类较多，包括液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管显示(organic light-emitting diode，OLED)等。

OLED显示具有自发光显示、轻薄省电等优点，还可基于柔性材料而制成柔性显示器，可以被卷曲、折叠或者作为可穿戴设备的一部分。OLED的发光原理是在两个电极之间沉积非常薄的有机发光材料，对有机发光材料通以电流，通过载流子注入和复合而发光。传统OLED技术的开关晶体管开关速度比较慢，导致显示模组的分辨率不高。

发明内容

本发明实施例的一个目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法及薄膜晶体管、显示模组，其解决传统技术的像素开关速度比较慢技术问题。

在第一方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极，与所述半导体层接触的多晶硅层。

可选地，所述半导体层为铟镓锌氧化物或氮化镓。

可选地，所述多晶硅层为本征多晶硅层。

可选地，所述绝缘层形成于所述栅极层上；

所述多晶硅层形成于所述绝缘层上；

所述半导体层形成于所述多晶硅层上；

所述源极形成于所述多晶硅层的一侧，并且与所述半导体层接触；

所述漏极形成于所述多晶硅层的另一侧，并且与所述半导体层接触。

可选地，所述半导体层与多晶硅层形成异质结。

在第二方面，本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，所述方法包括：

提供一栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极及与所述半导体层接触的多晶硅层；

根据所述栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极及多晶硅层制作薄膜晶体管。

可选地，所述半导体层为铟镓锌氧化物或氮化镓。

可选地，述多晶硅层为本征多晶硅层。

可选地，所述根据所述栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极及多晶硅层制作薄膜晶体管，包括：

形成所述绝缘层于所述栅极层上；

形成所述多晶硅层于所述绝缘层上；

形成所述半导体层于所述多晶硅层上；

形成所述源极与所述漏极于所述半导体层与所述多晶硅层上。

在第三方面，本发明实施例提供一种显示模组，所述显示模组包括任一项所述的薄膜晶体管。

在本发明各个实施例中，薄膜晶体管包括：栅极层、绝缘层、半导体层、漏极、源极，与半导体层接触的多晶硅层，由于多晶硅层能够提高半导体层的电子迁移率，从而提升开关速度与降低薄膜晶体管的功耗。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明