[发明专利]一种应用于跳频通信的高速超宽带半周期频率检测电路

权利要求书

1.一种应用于跳频通信的高速超宽带半周期频率检测电路，其特征是，由MOS管M1-M37、包络检测电容C1、采样电容C2、电流源I1组成；

MOS管M1的栅极和MOS管M2的栅极相连后，形成整个高速超宽带半周期频率检测电路的输入端Vin；MOS管M1和M3的源极与电源VDD连接；MOS管M2和M4的源极与地GND连接；MOS管M1和M2的漏极与MOS管M3和M4的栅极相连；MOS管M3和M4的漏极与MOS管M8和M9的栅极相连；

MOS管M5和M7的源极与电源VDD连接；MOS管M6和M8的源极与地GND连接；MOS管M5和M6的漏极与MOS管M7的栅极相连；MOS管M5和M6的栅极与MOS管M7和M8的漏极相连；

MOS管M9和M10的源极与电压源VDD连接；MOS管M11和M12的源极与地GND连接；MOS管M10和M11的漏极与MOS管M12的栅极相连；MOS管M10和M11的栅极与MOS管M9和M12的漏极相连；

MOS管M13、M15、M18和M19的源极与电源VDD连接；MOS管M14、M16和M17的源极与地GND连接；MOS管M13和M14的栅极与MOS管M18的漏极相连后，接至MOS管M8的漏极；MOS管M19和M20的栅极与MOS管M17的漏极相连后，接至MOS管M9的漏极；MOS管M13和M14的漏极与MOS管M15和M16的栅极相连；MOS管M15和M16的漏极与MOS管M17的栅极相连；MOS管M19和MOS管M20的漏极与MOS管M18的栅极相连；

MOS管M21和M23的源极与电源VDD连接；MOS管M22和M24的源极与地GND连接；MOS管M21和M22的栅极与MOS管M8的漏极连接；MOS管M21和M22的漏极与MOS管M23和M24的栅极相连；MOS管M23和M24的漏极与MOS管M29的栅极连接；

MOS管M25和M27的源极与电源VDD连接；MOS管M26和M28的源极与地GND连接；MOS管M25和MOS管M26的栅极与MOS管M9的漏极连接；MOS管M25和M26的漏极与MOS管M27和M28的栅极相连；MOS管M27和M28的漏极与MOS管M33的栅极连接；

MOS管M29的源极通过电流源I1与电源VDD连接，MOS管M29的漏极与MOS管M33的源极连接，MOS管M33的漏极通过采样电容C2与地GND连接；

MOS管M31的源极与电源VDD连接；MOS管M30和M32的源极与地GND连接；MOS管M31和M32的栅极相连后，形成整个高速超宽带半周期频率检测电路的复位端RST；MOS管M31和M32的漏极与MOS管M30的栅极相连；MOS管M30的漏极与MOS管M29的漏极连接；

MOS管M34和M9的漏极连接；MOS管M34和M35的栅极相连后，与MOS管M29的栅极连接；MOS管M34和M35的源极与地GND连接；MOS管M35和M33的漏极连接；

MOS管M37的栅极连接MOS管M33的栅极；MOS管M36的栅极接MOS管M28的栅极；MOS管M36和M37的源极相连后，与MOS管M35的漏极连接；MOS管M36和M37的漏极相连后，形成整个高速超宽带半周期频率检测电路的输出端Vout；包络检测电容一端与MOS管M36的漏极连接，另一端接地GND。

2.根据权利要求1所述的一种应用于跳频通信的高速超宽带半周期频率检测电路，其特征是，MOS管M1、M3、M5、M7、M9、M10、M13、M15、M18、M19、M21、M23、M25、M27、M29、M31、M33和M36为PMOS管；MOS管M2、M4、M6、M8、M11、M12、M14、M16、M17、M20、M22、M24、M26、M28、M30、M32、M34、M35和M37为NMOS管。