[发明专利]一种三输出低温漂低功耗基准电压源

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种三输出低温漂低功耗基准电压源。

背景技术

随着无线通信业的高速发展，便携式电子产品的广泛应用，低功耗的电源变得愈发重要，而电压基准源作为电源的一个重要组成模块，基准电压源是ASIC的基础单元，因此要求基准电压源要具有极低的功耗和低温漂系数，以及应对恶劣环境的能力。提高基准电压源的性能和集成度一直是该领域的研究的热点。然而传统带隙基准电压源仅有一个电压输出值，采用同一种类型电阻、双极型三级管与运算放大器等产生基准电压，温漂系数不够好，功耗较大，芯片面积过大。

发明内容

本发明所要解决的是传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数较差，以及功耗较大的问题，提供一种三输出低温漂低功耗基准电压源。

为解决上述问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种三输出低温漂低功耗基准电压源，包括基准电压源本体，基准电压源本体由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和三输出基准电压产生电路组成；其中启动电路的输出端接电流产生电路的输入端，电流产生电路的输出端接三输出基准电压产生电路的输入端；所述三输出基准电压产生电路由MOS管M11-M19和电容C1-C3组成；MOS管M11、MOS管M12和MOS管M18的源极与电源VDD连接；MOS管M12、MOS管M11和MOS管M18的栅极连接后，作为三输出基准电压产生电路的输入端；MOS管M13栅极与漏极共接与MOS管M11的漏极连接，MOS管M13的源极与地GND连接；MOS管M14的栅极与漏极共接后与MOS管M12的漏极连接；MOS管M18的漏极与MOS管M19的源极连接；MOS管M14的源极、MOS管M15的漏极和栅极、以及MOS管M19的栅极和漏极相连后，作为整个基准电压源本体的第一输出端，输出基准电压V_ref1；电容C1并联于MOS管M15的栅极与地GND之间；MOS管M15的源极、MOS管M16的漏极和栅极相连后，作为整个基准电压源本体的第二输出端，输出基准电压V_ref2；电容C2并联于MOS管M16的栅极与地GND之间；MOS管M16的源极、MOS管M17的漏极和栅极相连后，作为整个基准电压源本体的第三输出端，输出基准电压V_ref3；电容C3并联于MOS管M17的栅极与地GND之间；MOS管M17的源极与地GND连接。

上述方案中，三输出基准电压产生电路的MOS管M15为NMOS管，MOS管M19为PMOS管。

上述方案中，三输出基准电压产生电路的电容C1-C3为普通电容。

所述启动电路由MOS管M1-M4和电容C0组成；MOS管M1和MOS管M2的源极与电源VDD连接；MOS管M3的源极与地GND连接；MOS管M1的栅极与漏极共接后经电容C0与地GND相接；MOS管M2的栅极和MOS管M3的栅极共接后与MOS管M1的漏极连接；MOS管M2的漏极和MOS管M3的漏极共接后与MOS管M4的源极连接；MOS管M4的栅极与MOS管M3的栅极连接；MOS管M4的漏极作为启动电路的输出端。

上述方案中，启动电路的电容C0为普通电容。

所述电流产生电路由MOS管M5-M10和电阻R0组成；MOS管M5和MOS管M6的源极与电源VDD连接；MOS管M9的源极与地GND连接；MOS管M10的源极经电阻R0与地GND连接；MOS管M5的漏极与MOS管M7的漏极连接；MOS管M7的源极与MOS管M9的漏极连接；MOS管M6的漏极与MOS管M8的漏极连接；MOS管M8的源极与MOS管M10的漏极连接；MOS管M6的栅极与漏极共接后与MOS管M5的栅极连接；MOS管M7的栅极与漏极共接后与MOS管M8的栅极连接；MOS管M9的栅极与漏极共接后与MOS管M10的栅极连接；MOS管M5的漏极作为电流产生电路的输入端，MOS管M6的漏极作为电流产生电路的输出端。

上述方案中，电阻R0为高掺杂多晶硅电阻。

与现有技术相比，本发明具有如下特点：

1、同一个电路，同时输出三个具有低温漂不同电压值的基准电压，降低了生产成本。

2、采用NMOS管和PMOS管两个不同类型MOS管的相互匹配补偿，输出具有低温漂的基准电压。

3、利用同一支路具有不同温度系数的MOS管源漏压差输出具有低温漂的基准电压。

4、启动电路及电流产生电路电路较小，大大降低功耗。

附图说明