[发明专利]用于均匀分布的电流流动的引线框架上的交指器件有效

专利信息
申请号: 201810053453.9 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108336055B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 趙應山;O.赫博伦;K.希斯;G.库拉托拉;G.普雷希特尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 毕铮;刘春元
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 均匀分布 电流 流动 引线 框架 器件
【说明书】:

提供了用于均匀分布的电流流动的引线框架上的交指器件。本公开涉及通过解耦合经交指的焊盘之间的电流来均匀地分布经交指的引线框架中的电流的技术。引线框架可以使用引线框架导电焊盘与引线迹线之间的垂直结构。垂直结构提供用于电流从器件上的电极焊盘开口行进到引线迹线的短路径,所述引线迹线将电流运载到电路的其它部分。导电焊盘可以平行于电极焊盘开口以降低扩展电阻。在晶体管的示例中,晶体管可以具有用于每一个电流运载节点的两个或更多个电极焊盘。因此,若干电极焊盘可以具有相同节点,诸如器件的源极或漏极。例如,两个或更多个源极焊盘可以通过引线框架来连接,以均匀地分布电流和将电流与单个晶体管解耦合。

技术领域

本公开涉及功率引线框架封装和制作功率引线框架封装的技术。

背景技术

运载来自器件(诸如半导体器件)上的交指(interdigit)电极焊盘的信号的经交指的引线框架焊盘可能具有各种技术问题。一些示例包括器件与封装之间的界面上的电流密度,所述电流密度可能引起电迁移的风险。在晶体管器件的示例中,引线框架的特性可能促进RDSon。为了增加电路密度和降低组件大小,引线框架焊盘之间的窄节距和焊盘自身的节距二者可能具有例如来自可制造性或为了避免焊盘之间的金属齿距或电弧所致的限制。

半桥电路可以包括两个模拟器件或开关。半桥电路可以在用于电机的电源中使用、在整流器中使用并且用于功率转换。每一个半桥电路封装具有若干接触部并且可以包括若干导电路径以将接触部彼此连接并将接触部连接到外部组件。

发明内容

一般地,本公开涉及通过解耦合经交指的焊盘之间的电流来均匀地分布经交指的引线框架中的电流的技术。本公开的技术利用引线框架焊盘与引线迹线之间的垂直结构。垂直结构提供用于电流从器件上的电极焊盘开口行进到引线迹线的短路径,所述引线迹线将电流运载到电路的其它部分。底部经半蚀刻的导电焊盘进一步被配置成平行于电极焊盘开口以降低扩展电阻。

在一些示例中,根据本公开的技术的引线框架可以支持包括半桥电路的集成半导体管芯。在其它示例中,引线框架可以支持半桥电路连同控制和驱动器模块,诸如控制集成电路(IC)。在一些示例中,引线框架可以支持一个或多个分立经交指晶体管,诸如拆分晶体管。本公开的技术对于包括氮化镓的各种半导体管芯可以是有利的。

通过使用器件上的交指焊盘而在封装级使用引线连接,所有引线迹线布局可以垂直于器件的电极焊盘和引线框架上的导电经交指的焊盘二者。在晶体管的示例中,晶体管可以具有用于每一个电流运载节点的两个或更多个电极焊盘。在一个示例中,每一个其它电极焊盘可以具有相同节点,诸如器件的源极或漏极。两个或更多个源极焊盘可以通过引线框架来连接,以均匀地分布电流并解耦合电流。

在一个示例中,本公开涉及一种用于横向传导管芯的导电引线框架器件,其中所述横向传导管芯包括在所述管芯的表面上的多个平行间隔且交错电极开口,所述导电引线框架器件包括:第一平面和第二平面、所述导电引线框架的所述第一平面上的多个平行间隔且交错导电焊盘,其中所述多个导电焊盘中的相应导电焊盘限定所述相应导电焊盘的主轴。所述引线框架还包括在所述导电引线框架的所述第二平面上的多个平行导体,其中所述多个平行导体中的相应导体限定所述相应导体的主轴,并且其中所述相应导电焊盘的主轴在所述相应导电焊盘电气连接到所述相应导体的位置处与所述相应导体的主轴基本正交。

在第二示例中,本公开涉及一种器件,包括:横向传导管芯,其中所述横向传导管芯包括在所述管芯的表面上的多个平行间隔且交错电极开口;以及导电引线框架。所述导电引线框架包括:第一平面和第二平面、在所述导电引线框架的所述第一平面上的多个平行间隔且交错导电焊盘以及在所述导电引线框架的所述第二平面上的多个平行导体,其中所述多个导电焊盘中的相应导电焊盘限定所述相应导电焊盘的主轴,其中所述多个平行导体中的相应导体限定所述相应导体的主轴。所述相应导电焊盘的主轴在所述相应导电焊盘电气连接到所述相应导体的位置处与所述相应导体的主轴基本正交。

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