[发明专利]OLED微腔结构及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种微型OLED微腔结构的制备方法，其特征在于，包括：

在基板上方依次形成第一厚度调节层和第二厚度调节层，所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层构成微腔厚度调节层；

在形成有第一厚度调节层和第二厚度调节层的基板上涂覆一层光刻胶；

采用半色调掩模板或者灰色调掩模板对形成有光刻胶的基板进行曝光并对曝光后的基板进行显影，以得到光刻胶完全保留部分、光刻胶半保留部分和光刻胶去除部分；其中，光刻胶完全保留部分对应待形成的第一子像素微腔所需的膜层，光刻胶半保留部分对应待形成的第二子像素微腔所需的膜层，光刻胶去除部分对应待形成的第三子像素微腔所需的膜层；

通过第一次刻蚀工艺将光刻胶去除部分露出的第二厚度调节层和第一厚度调节层进行刻蚀，以露出第一厚度调节层和第二厚度调节层下方的基板；

通过灰化处理去除光刻胶半保留部分的光刻胶；

通过第二次刻蚀工艺将露出的第二厚度调节层进行刻蚀，以露出第二厚度调节层下方的第一厚度调节层；

去除剩余的光刻胶，以露出光刻胶完全保留部分下方的第一厚度调节层和第二厚度调节层；

在所述微腔厚度调节层的上方依次形成第一电极、发光层、以及第二电极；

其中，第一厚度调节层和第二厚度调节层的材料可对不同的刻蚀液产生反应；

其中，所述第一子像素中设置有所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层，所述第二子像素中设置有所述第一厚度调节层，所述第三子像素中未设置所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层，所述第一子像素与所述第二子像素对应的第一厚度调节层为连续一体设置，且所述第三子像素层对应的所述第一电极与所述基板接触。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层中的一个为透明绝缘层，另一个为金属氧化物薄膜。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一厚度调节层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、以及氧化铪中的任一种，所述第二厚度调节层包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌、以及氧化铟锌中的任一种；

或者，所述第一厚度调节层包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌、以及氧化铟锌中的任一种，所述第二厚度调节层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、以及氧化铪中的任一种。

4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为透明电极。

5.一种微型OLED微腔结构，其特征在于，采用权利要求1所述的制备 方法制作而成，所述微型OLED微腔结构包括：

基板；

依次设置在所述基板上方的第一厚度调节层和第二厚度调节层，所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层构成微腔厚度调节层，且所述微腔厚度调节层在不同子像素区域中具有不同的厚度；

依次设置在所述微腔厚度调节层上方的第一电极、发光层、以及第二电极；

其中，第一厚度调节层和第二厚度调节层的材料可对不同的刻蚀液产生反应；不同子像素中的所述第一厚度调节层位于同一层；所述不同子像素包括第一子像素、第二子像素和第三子像素；其中，所述第一子像素中设置有所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层，所述第二子像素中设置有所述第一厚度调节层，所述第三子像素中未设置所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层；且所述第一子像素与所述第二子像素对应的第一厚度调节层为连续一体设置，所述第三子像素层对应的所述第一电极与所述基板接触。

6.根据权利要求5所述的微型OLED微腔结构，其特征在于，所述第一厚度调节层和所述第二厚度调节层中的一个为透明绝缘层，另一个为金属氧化物薄膜。

7.根据权利要求6所述的微型OLED微腔结构，其特征在于，所述第一厚度调节层包括氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅中的任一种，所述第二厚度调节层包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌、以及氧化铟锌中的任一种；

或者，所述第一厚度调节层包括氧化铟锡、氧化镓锌、氧化锌、以及氧化铟锌中的任一种，所述第二厚度调节层包括氧化硅、氮化硅、以及氮氧化硅中的任一种。