[发明专利]像素单元及其制造方法以及成像装置

权利要求书

1.一种像素单元，其特征在于，包括：

衬底，包括用于光电器件的第一部分和用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分，其中

所述第一部分在所述衬底的表面处具有第一表面，并且所述第一部分包括第一掺杂区；

所述第二部分包括：

沟道形成区，与所述第一掺杂区相邻，所述沟道形成区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反，以及

与沟道形成区相邻的第二掺杂区；

在所述衬底之上且至少覆盖所述第一表面的至少一部分的调节绝缘层。

2.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，其中所述调节绝缘层包括：

在所述第一表面之上的第一层，所述第一层由非高k材料的电介质材料形成；以及

在所述第一层之上的第二层，所述第二绝缘层由包含金属元素的高k材料形成，并且

所述第二层与所述第一表面的至少一部分重叠。

3.如权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，其中所述第一部分还包括：

在第一掺杂区之下的第三掺杂区，

其中，所述第一掺杂区的导电类型与所述第三掺杂区的导电类型相同。

4.如权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，其中所述第一部分还包括：

在第一掺杂区之下的第三掺杂区，以及

在第一掺杂区之上的第四掺杂区，

其中，所述第一掺杂区的导电类型与第四掺杂区的导电类型相反，与所述第三掺杂区的导电类型相同。

5.如权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述第一部分还包括：

第五掺杂区，在所述第一掺杂区之上并在所述第四掺杂区和所述沟道形成区之间，

其中所述第五掺杂区与所述第四掺杂区导电类型相同。

6.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，还包括开口和绝缘填充部，所述开口露出所述第一表面的至少一部分，

其中，所述第一层形成在所述开口的侧壁和所述第一表面的所述至少一部分上，

所述第二层包括在所述开口中的部分；以及

所述绝缘填充部形成在所述第二层上以填充所述开口。

7.如权利要求2所述的像素单元，其特征在于，还包括开口和绝缘填充部，所述开口露出所述第一层的至少一部分，

其中，所述第二层形成在所述开口的侧壁和所述第一层的所述至少一部分上，

所述绝缘填充部形成在所述第二层上以填充所述开口。

8.如权利要求6或7所述的像素单元，其特征在于，还包括：

在所述开口外侧的第三绝缘膜；或者

在所述开口的外侧的伪隔离物和在伪隔离物外侧的第三绝缘膜。

9.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，其中所述像素单元还包括在沟道形成区之上的栅极结构，所述栅极结构包括：

在所述沟道形成区之上的栅极绝缘层，

在所述栅极绝缘层之上的栅极，以及

用于栅极的隔离物。

10.如权利要求1所述的像素单元，其特征在于，其中：

所述第一掺杂区作为所述晶体管的源极区和漏极区中的一个，并且

所述第二掺杂区作为所述晶体管的源极区和漏极区中的另一个。