[发明专利]静态随机存取存储器及其写入辅助电路和写入操作方法

权利要求书

1.一种写入辅助电路，包括：

控制电路，配置为接收与用于一个或多个存储器单元的一个或多个存储器写入操作相关联的第一存储器行地址信息和第二存储器行地址信息，其中，所述第一存储器行地址信息和所述第二存储器行地址信息表示所述一个或多个存储器单元的行位置；以及

电压发生器，配置为向连接至所述一个或多个存储器单元的一根或多根位线提供参考电压，其中，所述电压发生器包括：

第一电容性元件；和

第二电容性元件，其中，在所述存储器写入操作期间：

基于所述第一存储器行地址信息，所述第一电容性元件被配置为将所述参考电压连接至第一负电压；并且

基于所述第二存储器行地址信息，所述第一电容性元件和所述第二电容性元件被配置为将所述参考电压累积地连接至低于所述第一负电压的第二负电压。

2.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述电压发生器还包括被配置为将所述参考电压初始化至地电势的下拉晶体管。

3.根据权利要求2所述的写入辅助电路，其中，所述第一电容性元件被配置为在所述下拉晶体管失效之后将所述参考电压连接至所述第一负电压。

4.根据权利要求2所述的写入辅助电路，其中，所述第一电容性元件和所述第二电容性元件被配置为在所述下拉晶体管失效之后将所述参考电压累积地连接至所述第二负电压。

5.根据权利要求1所述的写入辅助电路，其中，所述第一电容性元件和所述第二电容性元件中的每一个均包括连接至电压电势的顶部电容器极板和连接至与所述参考电压相关联的电路节点的底部电容器极板，并且，所述控制电路被配置为将所述电压电势从第一值转换至较低的第二值，以将所述参考电压累积地连接至所述第二负电压。

6.根据权利要求5所述的写入辅助电路，其中，所述控制电路被配置为基于所述第一存储器行地址信息和所述第二存储器行地址信息来转换连接至所述第一电容性元件的顶部电容器极板和所述第二电容性元件的顶部电容器极板的所述电压电势。

7.一种存储器装置，包括：

存储器单元阵列；

写入驱动器电路，被配置为提供用于对所述存储器单元阵列中的一个或多个存储器单元执行的存储器写入操作的参考电压；以及

写入辅助电路，被配置为向所述写入驱动器电路提供所述参考电压，其中，所述写入辅助电路包括：

控制电路，被配置为接收与对所述存储器单元阵列中的所述一个或多个存储器单元执行的所述存储器写入操作相关联的第一存储器行地址信息和第二存储器行地址信息，其中，所述第一存储器行地址信息和所述第二存储器行地址信息表示所述存储器单元阵列中的所述一个或多个存储器单元的行位置；和

电压发生器，包括：

第一电容性元件；和

第二电容性元件，其中，在所述存储器写入操作期间：

基于所述第一存储器行地址信息，所述第一电容性元件被配置为将所述参考电压连接至第一负电压；并且

基于所述第二存储器行地址信息，所述第一电容性元件和所述第二电容性元件被配置为将所述参考电压累积地连接至低于所述第一负电压的第二负电压。

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述存储器单元阵列中的所述存储器单元中的每一个均包括静态随机存取存储器单元。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，所述第一存储器行地址信息和所述第二存储器行地址信息包括所述存储器单元阵列中经历所述存储器写入操作的存储器单元的行位置，并且其中，所述行位置与所述存储器单元阵列的第一部分或位于所述存储器单元阵列的第一部分与所述写入辅助电路之间的所述存储器单元阵列的第二部分相关联。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，响应于所述存储器单元阵列的第二部分中的所述行位置，所述第一电容性元件被配置为将所述参考电压连接至所述第一负电压。