[发明专利]一种基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统及方法有效
| 申请号： | 201810049783.0 | 申请日： | 2018-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108267775B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 魏坤;翁秀峰;黑东炜;盛亮;李斌康;谭新建;付竹明;孙彬 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究所 |
| 主分类号： | G01T1/36 | 分类号： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 唐沛 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 脉冲 射线 探测器 共振荧光 射线能谱 光子数 靶片 测量系统 铅准直器 靶材料 束流 测量精度高 能级 测量实验 高斯拟合 依次设置 分布图 夹角为 出射 能谱 叠加 探测 应用 | ||
1.一种基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统，其特征在于：
包括铅准直器、HPGe探测器以及特定靶片；
所述铅准直器、特定靶片依次设置在待测脉冲γ射线的束流方向上；所述HPGe探测器位于待测脉冲γ射线的一侧且HPGe探测器与束流方向之间的夹角为90°-120°；
所述特定靶片包括多种靶材料叠加而成，且每一种靶材料的能级均位于待测脉冲γ射线的能量范围内；
每一种靶材料的厚度均为0.2-0.5mm。
2.根据权利要求1所述的基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统，其特征在于：所述HPGe探测器的前端贴合放置有铅屏蔽体。
3.根据权利要求1所述的基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统，其特征在于：所述HPGe探测器数量为2，且以待测脉冲γ射线的束流方向为轴对称分布；两个HPGe谱仪与束流方向之间的夹角均为90°-120°，两个HPGe探测器与特定靶片之间的距离均为10-50cm。
4.根据权利要求1所述的基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统，其特征在于：靶材料的能级范围是1-5MeV。
5.根据权利要求1所述的基于核共振荧光的脉冲γ射线能谱测量系统的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)利用HPGe探测器探测待测脉冲γ射线核共振荧光过程中出射的光子数R；
2)根据公式(1)计算出对应能点光子数密度D；
R＝D(1-e-T/λ) (1)
D为待测脉冲γ射线在待测能点的光子数密度；T为特定靶片厚度；λ＝1/[σ·n]，其中，λ为核共振荧光作用长度，n为选取的靶材料中特定同位素的原子密度，σ为其核共振荧光截面数值；
3)将能点光子数密度D通过高斯拟合得到待测脉冲γ射线的能谱分布图。
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