[发明专利]一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、按照4～12：1：1～8的物质的量之比称量镁粉、纳米氧化硅以及无机盐并混合均匀，将混合物采用干压成型工艺压制成片状；

S2、将S1得到的片状材料于二氧化碳氛围下在管式炉中进行煅烧，按照3～5℃/min的速率升温至650～720℃并保温120～360min，煅烧完成后冷却得到碳纳米片包覆纳米硅粗品；

S3、将S2得到的碳纳米片包覆纳米硅粗品首先进行30～60min的一次酸洗，用去离子水离心清洗至中性，然后进行15～30min的二次酸洗，用去离子水离心清洗至中性，最后将离心产物于60～90℃下进行真空干燥，干燥时间为6～24h，得到纯化的碳纳米片包覆纳米硅的复合材料。

2.如权利要求1所述的一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，所述S1中镁粉的粒径为10～70μm，纳米氧化硅的粒径为40～80nm。

3.如权利要求1所述的一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，所述S1无机盐为氯化钠、氯化钾、氯化钙以及氯化镁中的一种或者多种。

4.如权利要求1所述的一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，所述S1中干压成型工艺的压力为15～25MPa。

5.如权利要求1所述的一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，所述S2煅烧过程中二氧化碳气体的流量为10～30mL/min。

6.如权利要求1所述的一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，所述S3中一次酸洗采用体积分数为20％～30％的盐酸溶液，二次酸洗采用体积分数为5％～10％的氢氟酸溶液。

7.如权利要求1所述的一种碳纳米片包覆纳米硅复合材料的原位制备方法，其特征在于，所述离心清洗时设定的转速为8000～10000r/min。