[发明专利]一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用低粘度高固含量水基浆料的制备方法在审
| 申请号: | 201810048551.3 | 申请日: | 2018-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN108249928A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
| 发明(设计)人: | 刘学建;邢媛媛;吴海波;黄政仁;姚秀敏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/632;C04B35/634;C04B35/64 |
| 代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;姚佳雯 |
| 地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 碳化硅粉体 烧结助剂 水基浆料 中位粒径 粉体 亚微米级碳化硅粉 纳米级碳化硅 碳化硅陶瓷 固相烧结 湿法成型 低粘度 固含量 微米级 制备 碳化硅分散剂 碳化硼粉体 颗粒级配 球磨混合 炭黑粉体 分散剂 硼粉 | ||
1.一种固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用水基浆料的制备方法,其特征在于,将水、水溶性碳化硅分散剂和烧结助剂用分散剂混合后,再加入碳化硅粉体和烧结助剂,经球磨混合得到所述水基浆料,所述烧结助剂粉体包括碳化硼粉体、硼粉中的至少一种和炭黑粉体;
所述碳化硅粉体是由亚微米级碳化硅粉体、纳米级碳化硅粉体中的一种和微米级碳化硅粉体经过颗粒级配得到,所述微米级碳化硅粉体的中位粒径为1.0~50μm,所述亚微米级碳化硅粉体的中位粒径为0.1~1.0μm,所述纳米级碳化硅粉体的中位粒径为5nm~100nm。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述水溶性碳化硅分散剂为四甲基氢氧化铵TMAH、聚乙烯亚胺PEI、聚甲基丙烯酸铵PMAA-NH4、聚乙二醇PEG、聚异丁烯马来酸酐中的至少一种;优选地,所述水溶性碳化硅分散剂的加入量为碳化硅粉体的0.1~1.0wt.%。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述碳化硼粉体或/和硼粉的烧结助剂用分散剂为四甲基氢氧化铵TMAH、聚乙烯亚胺PEI、聚甲基丙烯酸铵PMAA-NH4、聚乙二醇PEG、聚异丁烯马来酸酐、羧甲基纤维素钠中的至少一种,加入量为碳化硼粉体或/和硼粉总质量的0.1~1.0wt.%。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法,其特征在于,所述炭黑粉体的烧结助剂用分散剂为聚乙烯吡咯烷酮PVP、聚氧乙烯醚、聚顺丁烯二酸酐、聚甲基丙烯酸、聚丙烯酸、聚乙烯苯磺酸中的至少一种,加入量为炭黑粉体的0.1~3.0wt.%。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述微米级碳化硅粉体和亚微米级碳化硅粉体的级配质量比为(2~0.05):1,或者所述微米级碳化硅粉体和纳米级碳化硅粉体的级配质量比为(2~0.05):1。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述碳化硼粉体或/和硼粉的总质量占碳化硅粉体质量的0.1~3.0wt.%,所述炭黑粉体占碳化硅粉体质量的0.5~7.0wt.%。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述球磨混合的转速为150~600r/分钟,时间为2~8小时。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述烧结助剂的中位粒径为0.2~1μm。
9.一种根据权利要求1-8所述的制备方法制备的固相烧结碳化硅陶瓷湿法成型用水基浆料,其特征在于,所述水基浆料的粘度为0.1~3 Pa·s,体积固含量为55~58vol%。
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