[发明专利]内存变频窗口期显示方法及系统有效
| 申请号: | 201810047347.X | 申请日: | 2018-01-18 |
| 公开(公告)号: | CN108281119B | 公开(公告)日: | 2020-05-15 |
| 发明(设计)人: | 谢修鑫;陈有敏 | 申请(专利权)人: | 福州瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
| 代理公司: | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址: | 350003 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 内存 变频 窗口期 显示 方法 系统 | ||
一种内存变频窗口期显示方法及系统,包括如下步骤,显示器的输出层产生的显示数据,输出到显示控制器中的缓存区,再传输到屏幕显示;当判断缓存区中的显示数据超过阈值后,向内存控制器发出通知信号,当内存启动变频后,显示控制器调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。达到兼容消隐期变频或任意时刻进行内存变频的效果。
技术领域
本发明涉及显示器显示优化技术,尤其涉及一种在内存变频窗口期显示的方法及系统
背景技术
DDR变频期间不允许各个控制器访问DDR的port去进行数据访问,那么需要等待各个port进入idle时候再进行变频。显示模块需要与用户交互,如果数据刷新不及时,用户能够直观感觉到卡顿。而每个显示屏幕都会自己特定的消隐期,消隐期不会影响到画面显示,所以DDR变频需要在消隐期内完成。但是这样的实现方式不够灵活,因为DDR变频只能在消隐期来做。如果能在任意时刻进行变频,那么就可以节省更大的功耗;对于DDR有高频率的场景也能够及时的进行提高频率响应。
发明内容
为此,需要提供一种新的变频方法,兼容消隐期变频或任意时刻进行内存变频。
为实现上述目的,发明人提供了一种内存变频窗口期显示方法,包括如下步骤,显示器的输出层产生的显示数据,输出到显示控制器中的缓存区,再传输到屏幕显示;
当判断缓存区中的显示数据超过阈值后,向内存控制器发出通知信号,当内存启动变频后,显示控制器调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。
进一步地,还包括步骤,当内存启动变频后,将系统配置为优先响应VOP的DDR读写模式。
具体地,所述屏幕为LCD屏幕,所述显示数据为LCD各层win输出的合成数据。
一种内存变频窗口期显示系统,包括显示缓存模块、显示控制器、内存控制器,所述显示控制器包括阈值判断子模块、调用子模块;
所述显示缓存模块用于将输出层产生的显示数据输出到显示控制器中的缓存区,再传输到屏幕显示;
所述阈值判断子模块用于判断缓存区中的显示数据超过阈值,还用于向内存控制器发出通知信号,所述调用子模块用于在内存启动变频后,调用缓冲区内数据传输到屏幕显示。
具体地,还包括读写配置模块,所述读写配置模块用于在内存启动变频后,将系统配置为优先响应VOP的DDR读写模式。
可选地,所述屏幕为LCD屏幕,所述显示数据为LCD各层win输出的合成数据。
区别于现有技术,上述技术方案通过增加缓存量提供内存变频时候的数据输出,使得内存在进行变频的时候都不会显示卡顿,并且能够进一步达到任意时刻进行DDR变频而不影响显示的效果。
附图说明
图1为具体实施方式所述的内存变频窗口期显示方法流程图;
图2为具体实施方式所述的内存变频窗口期系统模块图。
附图标记说明:
200、显示缓存模块;
202、显示控制器;
2020、阈值判断子模块;
2022、调用子模块;
204、内存控制器;
206、读写配置模块;
具体实施方式
为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合具体实施例并配合附图详予说明。
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