[发明专利]基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201810047126.2 申请日: 2018-01-18
公开(公告)号: CN108232016B 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 闵永刚;刘泽;唐亚楠;惠志清;崔岱麒;邓云恺 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 王素琴
地址: 210023 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 纤维素 修饰 空穴 传输 钙钛矿 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,在下层透明电极与上层电极层之间夹有五层功能层,其特征在于:所述五层功能层由下到上依次为空穴传输层,纤维素界面修饰层、钙钛矿活性层及电子传输层、缓冲层,所述空穴传输层、纤维素界面修饰层、钙钛矿活性层及电子传输层全部通过低温溶液法制备成膜,所述空穴传输层为氧化镍,空穴传输层的厚度为5纳米到40纳米,所述纤维素界面修饰层为甲基纤维素、乙基纤维素、羟甲基纤维素、羟乙基纤维素、羟丙基纤维素、羧甲基纤维素的一种,所述纤维素界面修饰层的厚度为2-10纳米。

2.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述下层透明电极层包括氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化锡、银纳米线、碳纳米管或石墨烯。

3.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述钙钛矿活性层为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3PbIx Br3-x、CH3NH3PbIxCl3-x中的一种,根据溶液配置方式不同,x取值在1到3之间,钙钛矿活性层的厚度为300纳米到600纳米。

4.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层包括PC60BM,PC70BM,ICBA以及富勒烯衍生物,所述电子传输层的厚度为30纳米到120纳米。

5.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述缓冲层为bcp,所述缓冲层的厚度为10纳米。

6.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述低温是指室温到130℃之间。

7.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述上层电极包括铝、银、金、ITO、碳纳米管或石墨烯。

8.根据权利要求1所述基于纤维素修饰空穴传输层的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:其中所述纤维素界面修饰层的制备方法如下以900rpm下旋涂15s,4000rpm下旋涂25s两步连续旋涂,手套箱环境下100℃退火10分钟成膜。

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