[发明专利]一种量子点发光二极管的制备方法和应用

权利要求书

1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，在所述基底表面制备第一电极；

在所述第一电极表面上制备发光功能层，所述发光功能层至少包括量子点发光层；

在所述发光功能层上制备第二电极，得到初始量子点发光二极管；

将所述初始量子点发光二极管整体进行退火处理，得到量子点发光二极管。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为50-300℃，退火时间为0.1-30min。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为200-300℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括在所述第一电极表面依次层叠制备的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和电子注入层；或所述发光功能层包括在所述第一电极表面依次层叠制备的电子注入层、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和空穴注入层。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物和掺铝氧化锌中的一种或多种；所述第二电极的材料包括铝、银、金、铜和镁中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的材料包括红光量子点材料、绿光量子点材料和蓝光量子点材料中的一种或多种。

7.如权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层的具体制备过程包括：将含有表面配体的量子点发光层材料溶于有机溶剂中得到混合浆料，将所述混合浆料以2000-3000r/min的旋涂转速进行旋涂，随后于80-120℃烘烤4-8min。

8.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用旋涂的方式制备所述空穴注入层或所述空穴传输层，所述空穴注入层的材料包括PEDOT:PSS、MoO_x，VO_x，WO_x和NiO_x中的一种或多种，所述空穴传输层的材料包括PVK、TFB和Poly-TPD中的一种或多种。

9.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用旋涂的方式制备所述电子注入层或所述电子传输层，所述电子注入层或所述电子传输层的材料包括ZnO纳米颗粒、掺杂ZnO纳米颗粒和TiO₂纳米颗粒中的一种或多种。

10.一种如权利要求1-9任意一项所述的制备方法制备的量子点发光二极管。