[发明专利]一种磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法

权利要求书

1.一种磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，其特征是，步骤如下：对衬底进行清洗处理，衬底进行清洗处理指依次采用丙酮、酒精、去离子水对衬底进行清洗；对衬底采用小功率氧气等离子体、采用氢氟酸溶液浸泡或采用紫外光表面处理机对清洗干净的衬底进行亲水处理；

将聚甲基丙烯酸支撑的多孔氧化铝薄膜模板PMMA/AAO转移至丙酮溶液中去除超薄多孔氧化铝的PMMA支撑层；将去除了PMMA支撑层的超薄多孔氧化铝转移至30wt%过氧化氢溶液中室温浸泡2至10小时进行亲水处理；将亲水处理后的超薄多孔氧化铝转移至丙酮溶液中，在丙酮溶液中将超薄多孔氧化铝转移至经亲水处理的衬底上并室温风干；将覆盖有多孔氧化铝的衬底固定于平行对着磁控溅射溅射源的衬底托上；采用磁控溅射生长相应金属材料；磁控溅射生长完成金属材料后，采用聚酰亚胺高温胶带揭除或采用5~10 wt %的NaOH去除多孔氧化铝，获得大面积、高度有序纳米颗粒；

所述多孔氧化铝的孔直径与膜厚比例为1:3~1:6；

制备的纳米颗粒间隔在1nm至500nm之间；

制备的纳米颗粒高度在1nm至30nm之间；

所制备的纳米颗粒包括金属和合金纳米颗粒，包括氮化钛、镍、钛、锌、铬、镁、铌、锡、铝、铟、铁、锆铝、钛铝、锆、铝硅、铜、钽、锗、银、钴、金、钆、镧、钇、铈、钨、不锈钢、镍铬、铪、钼或铁镍。

2.根据要求1所述的磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，其特征是，所制备的纳米颗粒包括半导体纳米颗粒，即包括硅、碳化硅、氮化硅、氧化锌、硫化锌、碲化锌、锌镁氧、氧化镓或二氧化钛。

3.根据要求1所述的磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，其特征是，所制备的纳米颗粒包括金属氧化物绝缘体纳米颗粒，即包括氧化铝或二氧化硅。

4.根据要求1所述的磁控溅射生长大面积、高度有序纳米颗粒的方法，其特征是，所制备的纳米颗粒包括超导体纳米颗粒，即包括二硒化碳或铁碲锡。