[发明专利]一种高效率光转换彩色显示像素膜的制作方法在审
申请号: | 201810039321.0 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108321170A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 孙小卫;邱成峰 | 申请(专利权)人: | 南方科技大学;深圳扑浪创新科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京载博知识产权代理事务所(普通合伙) 11116 | 代理人: | 薛晶晶 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高效率 光转换 基底 彩色显示像素 制作 量子点 像素 清洗 彩色显示器件 单色显示器件 量子点材料 透明保护层 彩色显示 显示颜色 像素隔离 彩色化 显示色 加盖 贴合 制备 打印 对准 应用 | ||
1.一种高效率光转换彩色的显示装置,其特征在于,所述显示装置包括:
一个基础OLED显示像素;
一个量子激发部,所述量子激发部铺设在所述基础OLED显示像素上;所述基础OLED显示像素发出短波光,激发所述量子激发部的量子点进行发光。
2.根据权利要求1所述的一种高效率光转换彩色的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括:
一个滤光部,所述基础OLED显示像素发出的光可被所述滤光部吸收。
3.一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,所述方法采用在通用OLED显示像素上铺设一个量子激发部,所述OLED显示发射短波光,激发量子激发部的量子点,实现全彩发光。
4.根据权利要求3所述的一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
A)提供一个基底,并将所述基底进行清洗;
B)在清洗好的基底上制作像素隔离墙;
C)在设计的像素区内,打印对应颜色的量子点材料;
D)在制备好的量子点上加盖透明保护层;
E)将量子点板,与对应的OLED显示像素对准贴合,形成彩色显示器件。
5.根据权利要求4所述的一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,所述步骤C)中,采用逐个像素点依次打印,将所述量子点材料打印至像素区内。
6.根据权利要求4所述的一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,所述第一步的清洗步骤具体包括:
基底通过湿法清洗工艺进行清洗:
1.1所述湿法清洗工艺可以通过使用去离子水或者异丙醇进行清洗。
7.根据权利要求4所述的一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,所述第一步的清洗步骤具体包括:
基底通过干法清洗工艺进行清洗:
1.1干法清洗工艺可以使用采用二氧化碳、超声波或者激光脉冲波的技术;具体为,利用二氧化碳的技术通过升华干冰并同时将被升华的物质撞击到基底上来除去污染物;
1.2利用激光脉冲波的技术或者将激光脉冲波施加到基板的转印层上来除去存在于基板上的颗粒,或者利用激光脉冲波来振动供体基板周围的空气以浮动或者除去存在于基板上的颗粒;
或者利用超声波的技术是注入高速超声气体到供体基板的转印层上以便通过分离和抽气除去颗粒。
8.根据权利要求4所述的一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,所述第二步在清洗好的基底上制作像素隔离墙的具体步骤包括:
S1,在基底之上形成亲油层;
S2,在亲油层上形成疏油层;
S3,在疏油层上形成光刻胶;
S4,去除与对应像素电极阵列的光刻胶;
S5,蚀刻与像素电极阵列对应的疏油层;
S6,蚀刻与像素电极阵列对应的亲油层,以使亲油层和疏油层一起界定多个与像素电极阵列对应的凹陷区域,即由亲油层和疏油层构成像素隔离墙,然后去除光刻胶。
9.根据权利要求4所述的一种高效率光转换彩色显示膜的制作方法,其特征在于,所述第三步打印对应的量子材料的具体步骤包括:
一:按阵列排列的RGB像素单元和用于封装的透明材料的三维数字模型;
二:将所述三维数字模型输入到喷墨打印机程序中,所述喷墨打印机程序根据所述三维数字模型得出二维平面上的量子点材料和形状,设计打印头和打印头上若干微喷头内的量子点材料、微喷打印的起始点、打印路径和微喷打印的截止点;
所述打印头内包括三个平行设置的微喷头,从左至右依次装填有相应设计好的量子点材料,经此打印头进行喷墨打印阵列排布;
三:在微喷头内装填相应的量子点材料后,按照微喷打印的起始点、打印路径和微喷打印的截止点进行喷墨打印,打印厚度为2~50nm之间;
四:喷墨打印完成后,清理器件表面多余的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的