[发明专利]一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器有效
申请号: | 201810038539.4 | 申请日: | 2018-01-16 |
公开(公告)号: | CN108375556B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 金飚兵;谭为;张彩虹;吴敬波;陈健;吴培亨 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | G01N21/552 | 分类号: | G01N21/552 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨林洁 |
地址: | 210093 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 灵敏度 标记 测量 单分子层 赫兹 传感器 | ||
1.一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器,其特征在于,包括周期结构的双层超材料,所述周期结构的单元结构为开口极化方向相互垂直的两个劈裂环,所述两个劈裂环的材质为两种电导率相差十倍以上的两种金属,所述双层超材料的中间为介质基底薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器,其特征在于,所述介质为聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器,其特征在于,所述介质基底薄膜的厚度为5μm。
4.根据权利要求1所述的一种新型高灵敏度和无标记测量单分子层的太赫兹传感器,其特征在于,所述两个劈裂环的材质分别为金和钛或银和铅。
5.一种将如权利要求1-4任一项所述的太赫兹传感器用于生物单分子层检测的方法,其特征在于,在所述太赫兹传感器的一侧覆盖一层单分子层物质。
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