[发明专利]具有浪涌抑制及保护功能的供电电路以及供电方法在审

专利信息
申请号: 201810037989.1 申请日: 2018-01-16
公开(公告)号: CN108063545A 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 管洪飞;于喜河;吕宏宇;刘翠红;郭栋;刘荣辉 申请(专利权)人: 中国科学院空间应用工程与技术中心
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京市盛峰律师事务所 11337 代理人: 席小东
地址: 100094*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 具有 浪涌 抑制 保护 功能 供电 电路 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种具有浪涌抑制及保护功能的供电电路,其特征在于,包括浪涌抑制模块、电源转换模块和输出保护模块;

所述浪涌抑制模块包括开关电路、电阻分压电路和积分电容电路;其中,所述开关电路为MOS管;所述电阻分压电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4;所述积分电容电路包括第一电容C1和第二电容C2;

其中:第一电阻R1和第二电阻R2并联连接,第一电阻R1的第一端和第二电阻R2的第一端连接在一起,形成结点A,结点A连接至供电电源Vcc的正供电端;第一电阻R1的第二端和第二电阻R2的第二端连接在一起,形成结点B;第三电阻R3和第四电阻R4并联连接,第三电阻R3的第一端和第四电阻R4的第一端均与结点B连接在一起;第三电阻R3的第二端和第四电阻R4的第二端连接在一起,形成结点C,结点C连接至供电电源Vcc的负供电端;因此,第一电阻R1和第二电阻R2并联连接后,与并联连接的第三电阻R3和第四电阻R4为串联连接关系;第一电容C1和第二电容C2串联连接后,并联在第四电阻R4的两端;MOS管Q1,其栅极连接至结点B,其源极连接至供电电源Vcc的负供电端,其漏极依次通过所述电源转换模块和所述输出保护模块,连接到负载的正输入端。

2.根据权利要求1所述的具有浪涌抑制及保护功能的供电电路,其特征在于,第一电阻R1和第二电阻R2的阻值相同或不相同;第三电阻R3和第四电阻R4的阻值相同或不相同。

3.根据权利要求1所述的具有浪涌抑制及保护功能的供电电路,其特征在于,所述电源转换模块包括:EMI滤波器和DC/DC电源模块;所述输出保护模块包括肖特基二极管;

MOS管Q1,其漏极连接至EMI滤波器的电压负输入端子;所述EMI滤波器的电压正输入端子连接到结点A;所述EMI滤波器的电压输出端子连接到所述DC/DC电源模块的输入端;所述DC/DC电源模块的输出端连接到所述肖特基二极管的正极端;所述肖特基二极管的负极端连接至负载的正输入端。

4.一种基于权利要求1-3任一项所述的具有浪涌抑制及保护功能的供电电路的供电方法,其特征在于,通过浪涌抑制模块,抑制加电启动浪涌,防止对供电电源的瞬时冲击;通过电源转换模块,将输入的供电电压转换为负载需要的电压,及满足负载的功率需求;通过输出保护模块,对电源转换模块进行保护,防止对电源转换模块的反压冲击;供电方法包括:

步骤一,当供电电源未上电时,此时供电电路无输出电压,MOS管处于截止状态,电源转换模块无电压转换输出,供电电路无功耗;

步骤二,在供电电源开始上电的瞬间,MOS管截止状态;首先,供电电源通过电阻分压电路的分压后,对浪涌抑制模块的第一电容C1和第二电容C2充电,使MOS管栅极电压逐渐增加;当电压升至MOS管开启电压时,MOS管由线性导通变化到饱和导通,饱和导通后,供电电源电压施加至EMI滤波器和DC/DC电源模块,经过EMI滤波器和DC/DC电源模块的转换后,再经过肖特基二极管后输出到负载,对负载进行供电;通过控制MOS管的导通时间,进而抑制向负载供电电流的浪涌;

其中,第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4的作用为进行分压,为MOS管提供导通门限;第一电阻R1和第二电阻R2并联后,与并联的第三电阻R3和第四电阻R4串联后分压得到的电压为MOS管开启电压Ugs,MOS管开启电压Ugs满足MOS管饱和导通时栅极电压的允许范围,Ugs={R3*R4/(R3+R4)}/{R1*R2/(R1+R2)+R3*R4/(R3+R4)}*Vcc;在相同充电电容情况下,调节第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4的阻值,进而调节MOS管开启电压Ugs;MOS管开启电压Ugs越大,则浪涌峰值相对减小;

第一电容C1和第二电容C2为充电电容,通过设定第一电容C1和第二电容C2的充电时间常数,调整MOS管栅极充电时间常数,进而控制MOS管饱和导通时间;充电时间常数τ分段计算,τ=τ1+τ2,第一段时间常数τ1通过以下公式计算:τ1={R1*R2/(R1+R2)}*(C1+C2+CGS),CGS为MOS管栅源电容;第二段时间常数τ2是当C1、C2、MOS管栅源电容CGS完成充电后,开始给MOS管栅漏电容Cgd充电,由于密勒效应,使得等效的MOS管栅漏电容Cgd很大,因此需要的充电时间也较长,τ2={R1*R2/(R1+R2)}*Cgd,该时间段MOS管栅极电压处于被箝位状态,此时虽然MOS管没有完全导通,但MOS管已经工作;待MOS管栅漏电容Cgd充电完成并使栅极总电荷达到Ugs值时,MOS管完全导通,此时的MOS管开启电压Ugs={R3*R4/(R3+R4)}/{R1*R2/(R1+R2)+R3*R4/(R3+R4)}*Vcc。充电时间常数τ越大,MOS管饱和导通时间越长,抑制浪涌电流的效果越好,上电电流上升斜率越小,持续时间越长。

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