[发明专利]一种量子点LED及制备方法在审
| 申请号: | 201810037855.X | 申请日: | 2018-01-12 |
| 公开(公告)号: | CN108258099A | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
| 发明(设计)人: | 樊勇 | 申请(专利权)人: | 惠州市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址: | 516000 广东省惠州市仲恺高新技术*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 量子点 无机阻隔层 有机保护层 保护层 蓝光芯片 荧光粉层 陶瓷基板表面 发光性能 使用寿命 陶瓷基板 外侧设置 最里层 最外层 罩设 填充 制备 氧气 阻隔 | ||
1.一种量子点LED,其特征在于,包括陶瓷基板,依次设于所述陶瓷基板表面的蓝光芯片和量子点荧光粉层,以及罩设于所述蓝光芯片和所述量子点荧光粉层上的保护层,所述保护层包括至少一层无机阻隔层和至少一层有机保护层,所述保护层的最里层为所述无机阻隔层,最外层为所述有机保护层。
2.如权利要求1所述的量子点LED,其特征在于,所述量子点荧光粉层垂直于所述陶瓷基板方向的截面形状为三角形、四边形、多边形、半椭圆形或半圆形。
3.如权利要求1所述的量子点LED,其特征在于,所述量子点荧光粉层设于所述蓝光芯片的表面且延伸至所述陶瓷基板表面。
4.如权利要求1所述的量子点LED,其特征在于,相邻的所述无机阻隔层和所述有机保护层之间还设有一过渡层,所述过渡层用于提高所述无机阻隔层和所述有机保护层之间的结合力。
5.如权利要求1所述的量子点LED,其特征在于,所述无机阻隔层的材质包括硅的氧化物、铝的氧化物、硅的氮化物和铝的氮化物中的一种或多种,所述有机保护层的材质包括有机氟树脂和有机硅树脂中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的量子点LED,其特征在于,所述有机保护层的折射率小于所述无机阻隔层的折射率。
7.如权利要求1所述的量子点LED,其特征在于,所述量子点荧光粉层包括绿色量子点、绿色荧光粉、红色荧光粉和荧光胶,所述绿色量子点、所述绿色荧光粉和所述红色荧光粉的质量比为1:(1-100):(5-50)。
8.如权利要求7所述的量子点LED,其特征在于,所述绿色量子点包括有机钙钛矿量子点、无机钙钛矿量子点和具有核壳结构的量子点中的一种或多种,所述具有核壳结构的量子点包括内核和形成于所述内核外部的外壳,所述内核的材质包括硒化镉、二硫化铟铜和磷化铟中的一种或多种,所述外壳的材质包括镉、硒、硫化镉、氧化锌、硫化锌和硒化锌中的一种或多种。
9.一种量子点LED的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
取陶瓷基板,将所述陶瓷基板清洗后,随后将蓝光芯片通过固晶设置于所述陶瓷基板表面;
将量子点、荧光粉和荧光胶混合后经注塑制备出目标形状的量子点荧光粉,随后将所述量子点荧光粉覆盖于所述蓝光芯片表面,形成量子点荧光粉层;
在所述量子点荧光粉层的表面制备保护层,得到量子点LED,所述保护层包括至少一层无机阻隔层和至少一层有机保护层,所述保护层的最里层为所述无机阻隔层,最外层为有所述机保护层。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,采用磁控溅射法、等离子增强化学气相沉积法或原子层沉积法沉积制备所述无机阻隔层,采用喷涂法制备所述有机保护层。
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