[发明专利]一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法及超薄线圈

权利要求书

1.一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于包括如下步骤：

⑴选择一根圆柱型的芯轴支架（5），该芯轴支架使用便于后期去除的材料制成；

⑵选择一根长条带状的绝缘基底（1），利用薄膜沉积技术先在绝缘基底（1）表面沉积单层导电薄膜（2），再将带有单层导电薄膜的绝缘基底（1）在芯轴支架（5）上逐层卷绕，获得由绝缘层隔离的导电薄带卷，或利用薄膜沉积技术在自转的芯轴支架（5）外表面逐层交替沉积绝缘基底（1）和导电薄膜（2）以形成双层薄膜，获得由绝缘层隔离的导电薄带卷；

⑶将步骤⑵制作的导电薄带卷通过径向切割、磨抛和离子刻蚀而进行微加工减薄处理，并得到线圈；

⑷将经过步骤⑶得到的线圈去除芯轴支架（5），最后得到超薄线圈。

2.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的步骤⑵中绝缘基底（1）通过一对水平放置的、可调速的同向同速转动卷筒（3）进行匀速卷动运动，再在一对卷筒之间设有薄膜沉积装置（4），该薄膜沉积装置向绝缘基底（1）表面沉积单层导电薄膜（2）；或在竖直放置的芯轴支架（5）两侧分别设有薄膜沉积装置（4），两个薄膜沉积装置向自转的芯轴支架（5）外表面逐层交替沉积绝缘基底（1）和导电薄膜（2）以形成双层薄膜。

3.根据权利要求2所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的绝缘基底（1）采用聚酰亚胺柔性基底或氧化铝为代表的绝缘薄膜，所述的导电薄膜（2）采用铜薄膜为代表的金属导电薄膜或其他可用于沉积的导电材料。

4.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的步骤⑶得到线圈，该线圈的上、下表面均镀覆一层薄绝缘层。

5.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的步骤⑷中通过高温或化学手段去除芯轴支架（5），最后得到超薄线圈。

6.根据权利要求1所述的一种利用薄膜沉积技术制作超薄线圈的方法，其特征在于所述的薄膜沉积技术是指物理气相沉积或化学气相沉积。

7.一种超薄线圈，通过权利要求1~6任一项所述的利用薄膜沉积技术制作方法得到，其特征在于所述的超薄线圈呈圆环状，该超薄线圈具有沿圆环状的轴向切割而形成的矩形横截面，该矩形的横截面由在内的绝缘基底（1）和在外的导电薄膜（2）交替分布而成，且绝缘基底（1）和导电薄膜（2）的截面也为矩形。

8.根据权利要求7所述的一种超薄线圈，其特征在于所述的绝缘基底（1）的矩形截面边长由膜厚h0和线圈厚度h2组成，导电薄膜（2）的矩形截面边长由膜厚h1和线圈厚度h2组成，该导电薄膜（2）为连接导线的导电层。

9.根据权利要求8所述的一种超薄线圈，其特征在于所述的绝缘基底（1）为聚酰亚胺柔性基底，其膜厚h0按照标称厚度选择7.5µm、13µm、20µm、25µm、40µm、50µm、75µm、100µm、125µm这九种。

10.根据权利要求7所述的一种超薄线圈，其特征在于所述的导电薄膜（2）膜厚h1大于1µm，超薄线圈的线圈厚度h2为1µm~1000µm。