[发明专利]用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备

权利要求书

1.一种利用等离子体处理腔室气体喷嘴的等离子体处理方法，包括：

利用第一等离子体工艺将包括SiO_x的涂层沉积至腔室的腔室表面上，其中x大于零，所述第一等离子体工艺包括至少与氧化源气体组合的含硅源气体，且其中在所述第一等离子体工艺中不包含含氟的气体；

利用第二等离子体工艺在所述腔室中蚀刻工件，其中所述第二等离子体工艺与所述第一等离子体工艺不同，并且其中所述第一等离子体工艺的工艺压力小于所述第二等离子体工艺的工艺压力；

从所述腔室移除所述工件；并且

在移除所述工件之后利用第三等离子体工艺执行所述腔室表面的清洁，其中所述第三等离子体工艺包括低压等离子体清洁和高压等离子体清洁，所述低压等离子体清洁利用包含NF₃的第一工艺气体，以及所述高压等离子体清洁利用第二工艺气体，所述第二工艺气体包含Cl₂或O₂中的至少一者以及NF₃，

其中所述等离子体处理腔室气体喷嘴提供所述含硅源气体、所述第一工艺气体以及所述第二工艺气体的分配，并且包括：

具有第一直径的至少一个入口孔，所述至少一个入口孔凹入至所述气体喷嘴的上游侧中，以及

至少一个出口孔，所述至少一个出口孔具有小于所述第一直径的第二直径，所述至少一个出口孔凹入至所述气体喷嘴的下游侧中，并实体接合至入口孔，其中所述第二直径为800μm或更小，其中所述高压等离子体清洁处于200mT与500mT之间的工艺压力，并且所述低压等离子体清洁处于不大于10mT的工艺压力。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一工艺气体实质上由NF₃组成。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述高压等离子体清洁在所述低压等离子体清洁之前执行。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，执行所述高压等离子体清洁直至达成终点标准为止，且其中执行所述低压等离子体清洁达预定时间段。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二工艺气体包含Cl₂和O₂二者，并且其中所述第一工艺气体不包括Cl₂或O₂。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一等离子体工艺包括产生至少SiCl₄及O₂的等离子体，且其中所述涂层包括SiO_xCl_y。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二等离子体工艺具有对于SiO_x涂层的超过10:1的选择性。