[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置及其制造方法。可以提供半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置可以包括源极选择线。该半导体装置可以包括字线。该半导体装置可以包括沟道层。该半导体装置可以包括源极结构。所述源极结构可以被设置在所述源极选择线下方。所述源极结构可以与所述沟道层接触。

技术领域

本公开总体上可以涉及半导体装置及其制造方法，并且更具体地，可以涉及包括堆叠体的半导体装置及其制造方法。

背景技术

半导体装置包括能够存储数据的多个存储单元晶体管。存储单元晶体管可以串联连接在选择晶体管之间，并且可以用于配置存储串。为了提供高集成度的半导体装置，已经提出了三维(3D)半导体装置。存储单元晶体管和选择晶体管的栅极可以被堆叠以形成3D半导体装置。3D半导体装置还包括穿过栅极的沟道层。在实现3D半导体装置时，已经开发了用于提高操作可靠性的各种技术。

发明内容

在实施方式中，可以提供一种半导体装置。该半导体装置可以包括源极选择线，所述源极选择线包括第一导电层和设置在所述第一导电层上的第二导电层。该半导体装置可以包括在彼此间隔开的同时堆叠在所述源极选择线上方的字线。该半导体装置可以包括沟道层，所述沟道层可以穿过所述字线和所述源极选择线并且还可以比所述源极选择线更朝向向下的方向突出。该半导体装置可以包括源极结构，所述源极结构可以被设置在所述源极选择线下方并且可以与所述沟道层的侧壁接触。

在本公开的实施方式中，可以提供一种制造半导体装置的方法。该方法可以包括以下步骤：形成包括第一源极层、位于所述第一源极层上的牺牲源极层、位于所述牺牲源极层上的栅极绝缘层、位于所述栅极绝缘层上的第一导电层以及交替堆叠在所述第一导电层上的第一材料层和第二材料层的堆叠组。该方法可以包括以下步骤：形成在穿过所述第一材料层和所述第二材料层的同时可以延伸到所述第一源极层中并可以被多层存储层围绕的沟道层。该方法可以包括以下步骤：在所述第一导电层被贯穿之前，通过用第一刻蚀材料选择性地刻蚀所述第一材料层和所述第二材料层来形成穿过所述第一材料层和所述第二材料层的第一贯穿部。该方法可以包括以下步骤：形成可以从所述第一贯穿部延伸并可以穿过所述第一导电层和所述栅极绝缘层的狭缝。该方法可以包括以下步骤：通过所述狭缝来用接触源极层代替所述牺牲源极层，所述接触源极层与所述第一源极层和所述沟道层直接接触，并且通过所述栅极绝缘层来与所述第一导电层绝缘。

附图说明

图1是例示根据本公开的实施方式的示例的半导体装置的示意性电路图。

图2是例示根据本公开的实施方式的示例的半导体装置的立体图。

图3是示意性地例示根据本公开的实施方式的示例的制造半导体装置的方法的流程图。

图4是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST1的截面图。

图5A至图5C是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST3的截面图。

图6A至图6E是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST5的截面图。

图7A和图7B是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST7的截面图。

图8A至图8C是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST9的截面图。

图9A和图9B是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST11的截面图。

图10是用于描述图3中所例示的方法的步骤ST13的截面图。

图11是例示根据本公开的实施方式的示例的存储系统的配置的框图。

图12是例示根据本公开的实施方式的示例的计算系统的配置的框图。

具体实施方式