[发明专利]一种硅片处理方法以及太阳电池制作方法

说明书

本发明公开了一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法，本发明技术方案在第一流量的二氯乙烯环境中对待处理硅片进行设定时间的加热处理，可以消除待处理硅片的表面以及反应炉进行清洁处理，在第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气构成的混合气体环境中对待处理芯片进行设定时间的氧化处理，可以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷。可见，本发明技术方案可以有效去除所述待处理硅片的表面杂质以及所述待处理硅片内的氧环缺陷，大大提高硅片质量。

技术领域

本发明涉及硅片处理技术领域，更具体的说，涉及一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法。

背景技术

晶体硅是当今一种极其重要的半导体材料，被广泛的应用于太阳能电池、集成电路、探测器以及传感器等领域，以形成具有各种功能的电子设备，这些电子设备的广泛使用为人们的日常生活以及工作带了了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。

由于工艺条件等原因，在晶体硅的铸锭以及切片加工过程中，会破坏硅晶格的完整性，形成晶格缺陷，进而导致硅片形成产品的可靠性较差。通过传统热处理方法可以一定程度消除硅片晶格缺陷，提高硅片的质量。但是传统的热处理方法无法有效消除硅片中的氧环缺陷。

发明内容

为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种硅片处理方法以及太阳能电池制作方法，可以有效消除硅片中的氧环缺陷，提高硅片质量。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种硅片处理方法，所述处理方法包括：

将待处理硅片放置于反应炉内；

向所述反应炉内通入第一流量的二氯乙烯气体，通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理；

经过设定时间的加热处理后，向所述反应炉内通入第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气，对所述待处理硅片进行氧化处理，以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷；所述第二流量小于所述第一流量；

经过设定时间的氧化处理后，在氮气环境中对所述待处理硅片进行退火处理。

优选的，在上述硅片处理方法中，所述第一流量为9slm-11slm，包括端点值。

优选的，在上述硅片处理方法中，所述通过所述反应炉对所述硅片进行加热处理包括：

将硅片加热至900℃-1100℃，包括端点值。

优选的，在上述硅片处理方法中，所述加热处理的时间范围是50min-70min，包括端点值。

优选的，在上述硅片处理方法中，所述氧气的流量是2.5slm-3.5slm，包括端点值。

优选的，在上述硅片处理方法中，所述氧化处理的时间范围是50min-70min，包括端点值。

优选的，在上述硅片处理方法中，所述在氮气环境中对所述待处理硅片进行退火处理包括：

在氮气环境中进行降温退火，在所述待处理硅片温度降低至700℃时将所述待处理硅片从所述反应炉中取出。

本发明还提供了一种太阳能电池的制作方法，采用上述任一项所述处理方法处理过的硅片制作太阳能电池。

通过上述描述可知，本发明技术方案提供的硅片处理方法以及太阳能电池制作方法中，在第一流量的二氯乙烯环境中对待处理硅片进行设定时间的加热处理，可以消除待处理硅片的表面以及反应炉进行清洁处理，在第二流量的二氯乙烯气体以及设定流量的氧气构成的混合气体环境中对待处理芯片进行设定时间的氧化处理，可以降低所述待处理硅片内的氧环缺陷。可见，本发明技术方案可以有效去除所述待处理硅片的表面杂质以及所述待处理硅片内的氧环缺陷，大大提高硅片质量。

附图说明