[发明专利]GaN基LED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810034773.X | 申请日： | 2018-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN108110097A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张韵;赵璐;艾玉杰;孙莉莉;杨帅;程哲;张连;贾利芳;王军喜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L21/324;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤宝平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 制作 非掺杂GaN层 成核层 发光层 衬底 器件性能 外延材料 | ||
1.一种GaN基LED器件，包括：
一衬底；
一成核层，其制作在衬底上；
一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；
一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；
一发光层，其制作在n型层上；
一p型层，其制作在发光层上。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌、氧化镁、硅、玻璃或金属。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述非掺杂GaN层的材料为GaN、AlGaN或AlN，厚度为0-1μm；所述n型层的材料为GaN或AlGaN，厚度为0-1μm；所述发光层为单量子阱或多量子阱，材料为InGaN/GaN或AIGaN/AlGaN或GaN/AlGaN，周期为1-20，其中，阱的厚度为2-10nm，垒的厚度2-15nm；所述p型层的材料为GaN或AlGaN，厚度为0-1μm。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED器件，其中所述所述成核层的材料为AlN，厚度为1nm-500μm。
5.一种GaN基LED器件的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：在一衬底上制备成核层；
步骤2：退火；
步骤3：在成核层上制备非掺杂层；
步骤4：在非掺杂层上制备n型层；
步骤5：在n型层上制备发光层；
步骤6：在发光层上制备p型层。
6.根据权利要求5所述的GaN基LED器件的制备方法，其中所述衬底的材料为蓝宝石、碳化硅、氮化镓、氧化镓、氧化锌、氧化镁、硅、玻璃或金属。
7.根据权利要求5所述的GaN基LED器件的制备方法，其中退火的温度为1200-2300℃，退火时的保护气体为氮气、氩气、氦气或氨气，或以上各种气体的混合气体。
8.根据权利要求5所述的GaN基LED器件的制备方法，其中所述成核层的材料为AlN，厚度为1nm-500μm。
9.根据权利要求5所述的GaN基LED器件的制备方法，其中所述非掺杂GaN层的材料为GaN、AlGaN或AlN，厚度为0-1μm；所述n型层的材料为GaN或AlGaN，厚度为0-1μm；所述发光层为单量子阱或多量子阱，材料为InGaN/GaN或AlGaN/AlGaN或GaN/AlGaN，周期为1-20，其中，阱的厚度为2-10nm，垒的厚度2-15nm；所述p型层的材料为GaN或AlGaN，厚度为0-1μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810034773.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
