[发明专利]化学放大胶组合物及其在紫外光刻的应用有效

专利信息
申请号: 201810032040.2 申请日: 2018-01-12
公开(公告)号: CN110032040B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 杨国强;袁华;彭晓曼;王亚飞;王亮乾;许箭;郭旭东;王双青 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/039;G03F7/20
代理公司: 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 代理人: 刘元霞
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 化学 放大 组合 及其 紫外 光刻 应用
【权利要求书】:

1.一种化学放大型光刻胶组合物,包括主体材料、光致产酸剂、溶剂,所述主体材料为选自通式(I)、(II)、(III)、(IV)所示的化合物中的一种或多种,

其中,X独立地选自NH、S或O,Y为N,R独立地选自H、OH、酸敏基团,且至少一个R为酸敏基团,所述酸敏基团选自如下结构:-O-CO-OC1-20烷基或-O-CO-C1-20烷基;

Z独立地选自H、C1-8烷基、-COOC1-8烷基、R’独立地选自H、OH或酸敏基团,且至少一个R’为酸敏基团,所述酸敏基团独立的选自-OC1-8烷基、-OCOOC1-8烷基、

所述光致产酸剂为化合物中的一种或几种。

2.如权利要求1所述的光刻胶组合物,其中,所述-OCOOC1-8烷基为所述-COOC1-8烷基为

3.如权利要求1所述的光刻胶组合物,其中,所述光致产酸剂为

4.如权利要求1-3任一项所述的光刻胶组合物,其中,所述光致产酸剂的质量占光刻胶主体材料的2%-20%。

5.如权利要求1-3任一项所述的光刻胶组合物,其中,所述光刻胶组合物中主体材料的质量占光刻胶组合物的0.5%-10%。

6.如权利要求1-3任一项所述的光刻胶组合物,其中,所述光刻胶溶剂为烷烃、酯、醚、卤代烷化合物。

7.如权利要求6所述的光刻胶组合物,其中,所述光刻胶溶剂为1,2,3-三氯丙烷、苯甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单醋酸酯、丙二醇二醋酸酯、乳酸乙酯、丙二醇单甲醚、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、醋酸新戊酯、醋酸丁酯、二乙二醇乙醚、乙二醇单甲醚、环己酮中的一种或几种。

8.如权利要求6所述的光刻胶组合物,其中,所述光刻胶溶剂的质量占光刻胶组合物90%-99.5%。

9.如权利要求1-3任一项所述的光刻胶组合物,其中,所述组合物含有防酸扩散剂。

10.如权利要求9所述的光刻胶组合物,其中,所述防酸扩散剂为含氮的胺类化合物。

11.如权利要求10所述的光刻胶组合物,其中,所述防酸扩散剂为甲胺、二甲胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、已二胺、环己胺、正辛胺、三正辛胺、N-甲基二正辛胺、叔辛胺、苯甲胺。

12.如权利要求9所述的光刻胶组合物,其中,所述防酸扩散剂的质量占光致产酸剂0%-20%。

13.根据权利要求1-3任一项所述的光刻胶组合物,其中,所述光刻胶组合物还含有增感剂、表面活性剂、染料、稳定剂。

14.一种薄膜,其是由权利要求1-13任一项所述的光刻胶组合物涂于基片上得到的。

15.根据权利要求14所述的薄膜,其中所述薄膜由权利要求1-13任一项所述的光刻胶组合物旋涂于基片上得到。

16.权利要求1-13任一项所述的光刻胶组合物或权利要求14或15所述的薄膜的用途,其用于200-450nm的紫外光刻中。

17.根据权利要求16所述的用途,其用于365nm I线光刻、248nm深紫外光刻、436nm G线光刻。

18.根据权利要求16所述的用途,其用于紫外曝光机、365nm激光直写近场光刻、365nm激光干涉光刻。

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