[发明专利]一种闪存坏列表压缩方法

说明书

本发明公开了一种闪存坏列表压缩方法，包括一个数据缓冲区，一个错误检查和纠正的硬件装置，一个坏列表和闪存，当写入时从数据缓冲区透过总线传输数据传递到闪存，途中先跳过坏列块所指定的位置，再由错误检查和纠正装置产生纠错码后写入闪存。反之亦然，读取时先由坏列表跳过所指定的位置，再经由错误检查和纠正装置产生纠错码后传递到数据缓存区。错误检查和纠正技术在一定的区域内保护了错误比特率，本发明能够大幅缩小坏列表的大小，保护数据的正确性。

技术领域

本发明涉及闪存技术领域，具体为一种闪存坏列表压缩方法。

背景技术

闪存是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，闪存与EEPROM不同的是，EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等；闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比，闪存的读写速度高、功耗较低，市场上已经出现了闪存硬盘，也就是SSD硬盘，该硬盘的性价比进一步提升。随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存将更多地出现在日常生活之中。

闪存为非消失性的存储器装置，由块组成，每个块又分成多个页，每个页会有多个列组合而成。随者制造工艺提升，越先进的工艺闪存执行动作时会产生高温，因此闪存数据的错误比特会上升，导致数据错误。当反复读取数据后，发现数据再固定的列上都会发生错误，我们称之为坏列。对于闪存，最常利用错误检查和纠正技术(例如：二元线性循环码或低密度奇偶校验码)来作为错误修正的方法。错误检查和纠正技术可以在一定的区域内保护N个比特错误，如果不使用坏列表，ECC就会为了修正坏列，使其他数据的保护能力下降。因此产生坏列表来记录列的错误数据，读取时跳过坏列的区块使数据正确。减少错误检查和纠正的负担。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存坏列表压缩方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种闪存坏列表压缩方法，包括一个数据缓冲区，一个错误检查和纠正的硬件装置，一个坏列表和闪存，所述数据缓冲区通过总线连接错误检查和纠正的硬件装置，所述坏列表设置在错误检查和纠正的硬件装置内，所述错误检查和纠正的硬件装置通过总线连接闪存。

优选的，所述闪存有1024个块，每个块有256个页，每个页有32个扇形组合而成。

优选的，压缩方法包括以下步骤：

A、当写入时从数据缓冲区通过总线传输数据传递到闪存；

B、途中先跳过坏列块所指定的位置，再由错误检查和纠正装置产生纠错码后写入闪存；

C、反之亦然，读取时先由坏列表跳过所指定的位置，再经由错误检查和纠正装置产生纠错码后传递到数据缓存区；错误检查和纠正技术在一定的区域内保护了错误比特率。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供得一种闪存坏列表压缩方法，当写入时从数据缓冲区透过总线传输数据传递到闪存，途中先跳过坏列块所指定的位置，再由错误检查和纠正装置产生纠错码后写入闪存。反之亦然，读取时先由坏列表跳过所指定的位置，再经由错误检查和纠正装置产生纠错码后传递到数据缓存区。错误检查和纠正技术在一定的区域内保护了错误比特率，本发明能够大幅缩小坏列表的大小，保护数据的正确性。

附图说明

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明实施例压缩示意图；

图3为本发明实施例压缩后示意图。

具体实施方式