[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：在器件区形成第一器件结构和第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构具有第一旋转中心，所述标记结构包括多个标记部，所述标记部包括第一支部和第二支部，所述第一支部用于标记第一器件，结构所述第二支部用于标记第二器件结构；在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在所述标记区形成测试标记。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在现有的半导体制作工艺中，通常需要在多层膜层上形成图形，以组成具有一定功能的半导体器件。不同膜层的图形之间具有一定的对准关系，通常采取在晶圆上形成套准标记的方法，通过所述套准标记实现对准。

在现有技术中，由于光刻工艺中晶圆偏移矢量或聚焦精度等因素的影响，会使光刻胶在曝光的过程中，导致曝光后的图形发生偏移矢量、旋转、缩放或正交等方面的问题。因此，在形成半导体结构的过程中，需要使用光刻对准标记对形成于同一层光刻胶上的不同单元区之间的曝光误差进行测量，从而保证套刻精度。

然而，现有技术的半导体结构的形成方法较复杂。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够简化半导体结构的形成方法。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括器件面，所述器件面包括器件区和标记区；在所述器件区形成第一器件结构和第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构具有第一旋转中心，所述标记结构绕垂直于所述器件面且经过所述第一旋转中心的直线旋转第一角度后，所形成的结构与标记结构重合，所述第一角度大于零小于或等于180度，所述标记结构包括多个标记部，多个标记部围绕所述第一旋转中心均匀分布，所述标记部包括第一支部和第二支部，同一标记部中第一支部和第二支部为沿垂直于所述第一支部的延伸方向平行排列的条形，在形成所述第一器件结构的过程中形成所述第一支部，在形成所述第二器件结构的过程中，形成所述第二标记；形成所述标记结构之后，在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在所述标记区形成测试标记，在形成所述第一图形层的过程中形成所述测试标记，所述测试标记在所述器件面的投影图形中心相对于所述第一旋转中心在器件面的投影具有第一偏移矢量。

可选的，单个标记部中第一支部的个数为多个，多个第一支部的延伸方向平行；单个标记部中第二支部的个数为多个，多个第一支部的延伸方向平行。

可选的，单个标记部中第一支部和第二支部在器件面上的投影图形交替排列。

可选的，单个标记部中第一支部的个数为4个～7个；单个标记部中第二支部的个数为4个～7个；相邻第一支部和第二支部中心之间的距离为0.9μm～1.1μm；所述第一支部的宽度为0.45μm～0.55μm；所述第二支部的宽度为0.45μm～0.55μm。

可选的，所述第一支部为矩形，所述第二支部为矩形，所述第一支部与第二支部的宽度相等，且第一支部和第二支部的长度相等。

可选的，形成所述第一图形层和所述测试标记之前，还包括：在所述器件区形成第四器件结构；各标记部还分别包括：第三支部，标记结构中所有标记部中的第三支部用于标记所述第四器件结构；同一标记部中的第一支部、第二支部和第三支部在器件面上的投影图形的中心共线，同一标记部中的第一支部、第二支部和第三支部在器件面上的投影图形的排列方向垂直于所述第一支部的延伸方向。

可选的，单个标记部中所述第三支部的个数为1个～3个。

可选的，所述第一器件结构位于所述器件区衬底中，所述第一支部位于所述衬底中；或者所述第一器件结构位于所述衬底上，所述第一支部位于所述衬底上；所述第二器件结构位于所述器件区衬底中，所述第二支部位于所述衬底中；或者所述第二器件结构位于所述衬底上，所述第二支部位于所述衬底上。