[发明专利]一种激光诱导的表面等离子体性能可调基底及其制备方法在审
申请号: | 201810029078.4 | 申请日: | 2018-01-12 |
公开(公告)号: | CN108220883A | 公开(公告)日: | 2018-06-29 |
发明(设计)人: | 洪瑞金;邵文;孙文峰;邓操;陶春先;张大伟 | 申请(专利权)人: | 上海理工大学 |
主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 200093 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面等离子体 贵金属膜层 石英基片 基底 可调 激光诱导 沉积 制备 电子束蒸发镀膜系统 二氧化碳激光器 表面氧化物 超声波清洗 贵金属薄膜 贵金属颗粒 去离子水 辐照 丙酮 酒精 转化 | ||
1.一种激光诱导的表面等离子体性能可调基底,其特征在于,包括:
石英基片;以及
贵金属膜层,沉积于所述石英基片上,
其中,所述贵金属膜层的材料为Ag、Au或Cu。
2.根据权利要求1所述的激光诱导的表面等离子体性能可调基底的制备方法,其特征在于:
其中,所述贵金属膜层的厚度为15mm。
3.一种制备如权利要求1所述的激光诱导的表面等离子体性能可调基底的方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,依次采用丙酮、酒精、去离子水对所述石英基片进行超声波清洗,以除去表面氧化物或杂质;
步骤2,利用电子束蒸发镀膜系统在所述石英基片上沉积所述贵金属膜层;
步骤3,利用二氧化碳激光器辐照所述贵金属膜层,将该贵金属薄膜转化为贵金属颗粒,即得到表面等离子体性能可调基底。
4.根据权利要求3所述的制备激光诱导的表面等离子体性能可调基底的方法,其特征在于:
其中,所述步骤3中二氧化碳激光器发出的激光的功率范围为0-3W。
5.根据权利要求4所述的制备激光诱导的表面等离子体性能可调基底的方法,其特征在于:
其中,所述二氧化碳激光器发出的激光的功率为3W。
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