[发明专利]拓扑储能材料及其制备方法有效
申请号: | 201810028183.6 | 申请日: | 2018-01-11 |
公开(公告)号: | CN108199049B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 吴孟强;陈治;徐自强;陈诚;涂铖阳;陈金琛;杨俭 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01M4/62 | 分类号: | H01M4/62 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 拓扑 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种拓扑储能材料,其特征在于包括:拓扑绝缘体、高容量储能材料以及包覆在前面两种材料外层的包覆材料,所述高容量储能材料是指比容量500mAh/g的电池负极材料;
所述拓扑储能材料采用如下制备方法得到:
(1)首先将油酸和油酰胺混合均匀,通入惰性气体除去空气同时升高到反应温度;
(2)将二苄基二硒醚和三苯基铋加入到油酸和油酰胺混和液中,保持温度使生成硒化铋纳米片,随后加入乙酰丙酮锡和二苄基二硒醚,将硒化锡长在硒化铋纳米片上形成复合物;
(3)将复合物和包覆材料球磨进行包覆形成最后的拓扑复合储能材料。
2.根据权利要求1所述的拓扑储能材料,其特征在于:包覆材料选自石墨、石墨烯、碳纳米管、硬碳、软碳中至少一种。
3.根据权利要求1所述的拓扑储能材料,其特征在于:材料的包覆过程采用球磨包覆、或水热包覆再碳化、或直接使用CVD包覆。
4.根据权利要求3所述的拓扑储能材料,其特征在于:水热包覆后的材料在400-1200℃碳化处理。
5.一种 如 权利要求2或3或4所述的拓扑储能材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)首先将油酸和油酰胺混合均匀,通入惰性气体除去空气同时升高到反应温度;
(2)将二苄基二硒醚和三苯基铋加入到油酸和油酰胺混和液中,保持温度使生成硒化铋纳米片,随后加入乙酰丙酮锡和二苄基二硒醚,将硒化锡长在硒化铋纳米片上形成复合物;
(3)将复合物和包覆材料球磨进行包覆形成最后的拓扑复合储能材料。
6.根据权利要求5所述的拓扑储能材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)加入的油酸与油酰胺的体积比例控制在100:2-8之间,油酸与油酰胺混合溶液的反应温度为250-330摄氏度之间;步骤(2)加入的二苄基二硒醚和三苯基铋的摩尔比例为1:(0.5-2),加入后反应时间为4-10分钟;随后加入的乙酰丙酮锡和二苄基二硒醚的摩尔比例为1:(0.5-2),加入后反应时间为15-30分钟形成复合物,生成的复合物使用正己烷或者无水乙醇进行洗涤;步骤(3)制备的复合物与包覆材料球磨时的质量比为1:0.1-0.4,球磨时通入惰性气体或氮气,复合材料球磨时间为10-30小时,然后包覆形成最后的拓扑复合储能材料。
7.根据权利要求5所述的拓扑储能材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)上述的油酸与油酰胺的升温过程分为两步进行,先将混合物加热到140摄氏度,在此温度下搅拌保持30分钟后进行二次升温,升到最终的反应温度,整个过程升温速度控制在5-15℃/min;步骤(2)将二苄基二硒醚和三苯基铋加入到油酸和油酰胺混和液之前,先将二苄基二硒醚和三苯基铋溶解于少量油酰胺中同时进行预热,预热温度控制在60-90℃之间;将乙酰丙酮锡和二苄基二硒醚加入到油酸和油酰胺混和液之前,先将乙酰丙酮锡和二苄基二硒醚溶解于少量油酰胺中同时进行预热,预热温度控制在60-90℃之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810028183.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。