[发明专利]改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法

权利要求书

1.一种改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、形成多晶硅层，采用光刻工艺形成光刻胶图形定义出多晶硅结构的形成区域；

步骤二、以所述光刻胶图形为掩膜，采用各向同性刻蚀工艺对所述多晶硅层进行第一次刻蚀，所述第一次刻蚀将部分厚度的所述多晶硅层去除；

步骤三、以所述光刻胶图形为掩膜，采用各向异性刻蚀工艺对所述多晶硅层进行第二次刻蚀；

所述第二次刻蚀将所述第一次刻蚀后剩余厚度的所述多晶硅层去除，由所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀后保留于所述光刻胶图形覆盖区域的所述多晶硅层组成所述多晶硅结构；

由所述第二次刻蚀保持所述多晶硅结构底部覆盖区域和所述光刻胶图形定义相同；所述第二次刻蚀在所述多晶硅结构的侧面台阶处形成一垂直结构，所述第一次刻蚀在所述多晶硅结构的侧面台阶的垂直结构上形成一圆弧结构；

步骤四、沉积层间膜；所述层间膜为常压氧化硅和硼磷硅玻璃的叠加层，所述层间膜的厚度大于等于所述多晶硅结构的侧面台阶处的垂直结构的厚度；

步骤五、对所述硼磷硅玻璃进行退火回流，回流后的所述硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处形成一个完全倾斜的结构；

步骤六、采用光刻工艺定义出接触孔的形成区域，对所述接触孔的形成区域的所述层间膜进行刻蚀形成所述接触孔的开口；

步骤七、形成金属层，所述金属层将所述接触孔完全填充；进行金属层的刻蚀将所述接触孔区域外的所述金属层全部去除，利用所述硼磷硅玻璃在所述多晶硅结构的侧面台阶处为完全倾斜的特征消除在所述多晶硅结构的侧面台阶处的金属残留。

2.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述多晶硅结构为多晶硅栅。

3.如权利要求2所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述多晶硅栅为ESD产品的多晶硅栅。

4.如权利要求3所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述ESD产品为LDMOS器件。

5.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤四中所述层间膜的厚度小于所述多晶硅层的厚度。

6.如权利要求5所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤一中所述多晶硅层的厚度为

7.如权利要求6所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤二中所述第一次刻蚀的厚度为

8.如权利要求6所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤四中所述常压氧化硅的厚度为所述硼磷硅玻璃的厚度为

9.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤七中所述金属层的材料为钨。

10.如权利要求9所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述金属层的刻蚀采用干法刻蚀。

11.如权利要求2所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤一中所述多晶硅层形成于半导体衬底表面。

12.如权利要求11所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：在所述半导体衬底表面形成有栅氧化层，所述多晶硅层叠加在所述栅氧化层表面。

13.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述常压氧化硅采用APCVD工艺形成。

14.如权利要求1所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：所述硼磷硅玻璃采用SACVD工艺形成。

15.如权利要求9所述的改善多晶硅台阶侧面金属残留的方法，其特征在于：步骤七中所述金属层还包括钛和氮化钛的叠加层，所述金属层的钨形成在所述钛和氮化钛的叠加层上。