[发明专利]SCR结构及其构成的ESD保护结构

权利要求书

1.一种SCR结构，其特征在于，该SCR结构包括：第一P阱（PW1）、第二P阱（PW2）、第一N阱（NW1）、第二N阱（NW2）、多晶硅栅（G）、第一~第四P型重掺杂区（P+1~P+4）和第一~第五N型重掺杂区（N+1~N+5）；

衬底上部左至右顺序排布的第一P阱（PW1）、第一N阱（NW1）、第二P阱（PW2）和第二N阱（NW2）；

第一P阱（PW1）上部设有第一P型重掺杂区（P+1），第一P型重掺杂区（P+1）右侧第一P阱（PW1）中设有第一N型重掺杂区（N+1），第一N型重掺杂区（N+1）右侧第一P阱（PW1）中设有第二N型重掺杂区（N+2），多晶硅栅（G）设置在第一N型重掺杂区（N+1）和第二N型重掺杂区（N+2）之间的第一P阱（PW1）上方；

第一N阱（NW1）上部设有第三N型重掺杂区（N+3），第三N型重掺杂区（N+3）右侧第一N阱（NW1）中设有第二P型重掺杂区（P+2）；

第二P阱（PW2）上部设有第四N型重掺杂区（N+4），第四N型重掺杂区（N+4）右侧第二P阱（PW2）中设有第三P型重掺杂区（P+3）；

第二N阱（NW2）上部设有第四P型重掺杂区（P+4），第四P型重掺杂区（P+4）右侧第二N阱（NW2）中设有第五N型重掺杂区（N+5）。

2.一种具有权利要求1所述SCR结构的ESD保护结构，其特征在于，还包括：一RC电路；

所述SCR结构其第二P型重掺杂区（P+2）连接静电端，其第二N阱（NW2）连接第四P型重掺杂区（P+4）和第二N型重掺杂区（N+2），第五N型重掺杂区（N+5）连接静电端，多晶硅栅（G）连接RC电路第一连接端，RC电路第二连接端连接第一N型重掺杂区（N+1）和第一P型重掺杂区（P+1）并连接地，RC电路第三连接端连接静电端。

3.如权利要求2所述ESD保护结构，其特征在于：RC电路包括电阻和电容，电阻第一端和电容第一端相连作为该RC电路第一连接端，电阻第二端作为该RC第二连接端，电容第二端作为该RC电路第三连接端。