[发明专利]图像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201810024561.3 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108183116A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 龙海凤;李天慧;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分隔部 图像传感器 滤色器 衬底 感测元件 介电部件 辐射 制造 第一金属层 侧壁 串扰 | ||
1.一种用于制造图像传感器的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供在其中形成有多个辐射感测元件的衬底；
在所述衬底上形成第一分隔部；以及
在所述第一分隔部之间形成多个滤色器，所述多个滤色器对应地设置在所述多个辐射感测元件上方，并且所述第一分隔部用于防止所述多个滤色器之间的辐射的串扰，
其中，形成所述第一分隔部包括：
在所述衬底上形成介电部件；以及
在所述介电部件的侧壁上形成第一金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层还形成在所述介电部件的顶部上。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成第一抗反射层，其中所述第一抗反射层形成在所述第一金属层的底部和所述多个滤色器与所述衬底之间。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成第二抗反射层，其中所述第二抗反射层形成在所述第一分隔部的顶部上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括形成第二分隔部，所述第二分隔部形成在所述多个辐射感测元件之间以用于电隔离所述多个辐射感测元件，并且所述第二分隔部对应地设置在所述第一分隔部下方。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一分隔部的所述介电部件和所述第二分隔部的材料相同。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一分隔部的所述介电部件和所述第二分隔部在同一步骤中形成。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一分隔部的所述介电部件和所述第二分隔部通过如下步骤形成：
在所述多个辐射感测元件之间形成沟槽；
在所述沟槽中和所述衬底上沉积电介质材料层；
去除所述衬底上的所述电介质材料层的部分，剩余的电介质材料层的高于所述衬底的上表面的部分作为所述第一分隔部的所述介电部件，并且剩余的电介质材料层的低于所述衬底的上表面的部分作为第二分隔部。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述辐射感测元件的折射率大于所述第二分隔部的折射率。
10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二分隔部包括多个电介质层，其中，所述多个电介质层中的与所述辐射感测元件接触的电介质层的折射率小于所述辐射感测元件的折射率。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
