[发明专利]一种半导体激光器及激光器芯片

权利要求书

1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：承载热沉(1)、过渡热沉(2)和激光器芯片(3)，所述过渡热沉(2)设置在所述承载热沉(1)上，所述过渡热沉(2)的第一侧面与所述承载热沉(1)的第一侧面对齐，所述激光器芯片(3)设置在所述过渡热沉(2)上，所述激光器芯片(3)包括彼此相对的前腔面和后腔面，所述前腔面和所述过渡热沉的第一侧面对齐，所述过渡热沉(2)的宽度沿着所述前腔面到所述后腔面的方向逐渐减小；

所述激光器芯片(3)包括背电极(30)及依序叠层设置于所述背电极(30)上的衬底(31)、下限制层(32)、下波导层(33)、有源层(34)、上波导层(35)、电子阻挡层(36)、上限制层(37)、绝缘层(38)和上电极(39)，所述上限制层(37)包括本体层和由所述本体层凸出形成的多个脊形条(371)，所述多个脊形条(371)平行排列于所述本体层上，所述脊形条(371)沿着所述前腔面到所述后腔面的方向延伸，沿着所述多个脊形条(371)的排列的中央分别到两端的方向上，所述脊形条(371)的宽度逐渐增加。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述承载热沉(1)包括与所述过渡热沉(2)接触的承载面(11)，所述过渡热沉(2)的平行于所述承载面(11)的截面的形状呈三角形或梯形。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括第一焊料层(6)和第二焊料层(5)，所述过渡热沉(2)通过所述第一焊料层(6)焊接于所述承载热沉上，所述激光器芯片(3)通过所述第二焊料层(6)焊接于所述过渡热沉(2)上。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述第一焊料层(6)和第二焊料层(5)为金锡焊料或铟锡焊料。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述过渡热沉(2)由选自氮化铝、碳化硅和金刚石中的任一种制成。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括TO封装部(4)，所述TO封装部(4)包括封装座(41)以及分别穿过所述封装座(41)的第一引脚(42)和第二引脚(43)，所述承载热沉(1)固定在所述封装座(41)的一侧上，所述第一引脚(42)与所述承载热沉(1)上的过渡热沉(2)电性连接，所述第二引脚(43)与所述过渡热沉(2)上的激光器芯片(3)电性连接。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，沿着所述多个脊形条(371)的排列的中央分别到两端的方向上，相邻的脊形条(371)之间的间距逐渐减小。

8.一种激光器芯片，其特征在于，包括背电极(30)及依序叠层设置于所述背电极(30)上的衬底(31)、下限制层(32)、下波导层(33)、有源层(34)、上波导层(35)、电子阻挡层(36)、上限制层(37)、绝缘层(38)和上电极(39)，形成彼此相对的前腔面和后腔面，所述上限制层(37)包括本体层和由所述本体层凸出形成的多个脊形条(371)，所述多个脊形条(371)平行排列于所述本体层上，所述脊形条(371)沿着所述前腔面到所述后腔面的方向延伸，沿着所述多个脊形条(371)的排列的中央分别到两端的方向上，相邻的脊形条(371)之间的间距逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的激光器芯片，其特征在于，沿着所述多个脊形条(371)的排列的中央分别到两端的方向上，所述脊形条(371)的宽度逐渐增加。