[发明专利]用于WI-FI模块的射频功率放大器

权利要求书

1.一种用于WI-FI模块中的射频功率放大器，其特征在于，其包括：

射频输入端；

射频输出端；

依次耦接于所述射频输入端和所述射频输出端之间的输入匹配电路、第一级射频功率放大结构、第一级间匹配电路、第二级射频功率放大结构、第二级间匹配电路、第三级射频功率放大结构和输出匹配电路，

其中第一级射频功率放大结构包括第一射频功率放大晶体管和第一偏置电路，第一偏置电路给第一射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第二级射频功率放大结构包括第二射频功率放大晶体管和第二偏置电路，第二偏置电路给第二射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，第三级射频功率放大结构包括第三射频功率放大晶体管和第三偏置电路，第三偏置电路给第三射频功率放大晶体管的基极提供偏置电压，

输入匹配电路包括耦接于射频输入端和第一射频功率放大晶体管的基极之间的电感L3和电容C3，

第一级间匹配电路包括耦接于电源端和第一射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC1、依次耦接于第一射频功率放大晶体管的集电极和第二射频功率放大晶体管的基极之间的电容C4和电容C5，耦接于电容C4和电容C5的中间节点和接地端之间的电感L4，

第二级间匹配电路包括耦接于电源端和第二射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC2、依次耦接于第二射频功率放大晶体管的集电极和第三射频功率放大晶体管的基极之间的电容C6、电容C7和电容C8、耦接于电容C6和电容C7的中间节点和接地端之间的电感L5和耦接于电容C7和电容C8的中间节点和接地端之间的电感L6，

输出匹配电路包括耦接于电源端和第三射频功率放大晶体管的集电极之间的电感RFC3、依次耦接于第三射频功率放大晶体管的集电极和射频输出端之间的电感L8和电容C11，耦接于电感L8和电容C11的中间节点和接地端之间的电容C10和耦接于射频输出端和接地端之间的电感L9。

2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输出匹配电路还包括有：耦接于第三射频功率放大晶体管的集电极和接地端之间的电容C9和电感L7，电容C9和电感L7组成谐振网络，谐振网络的谐振频率为主频的两倍，从而抑制主频信号的二次谐波。

3.根据权利要求2所述的射频功率放大器，其特征在于，所述输入匹配电路包括：依次耦接于射频输入端与电容C3和电感L3的中间节点之间的电感L2和电容C2；依次耦接于射频输入端与接地端之间的电容C1和电感L1，电容C1和电感L1的谐振频率为预定频率，从而抑制预定频率的射频信号，电感L2和电容C2的谐振频率为主频频率，从而使得主频信号通过。

4.根据权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于，电感L1至电感L9，电感RFC1至电感RFC3均为片上电感，电容C1至电容C11均为片上电容，所述射频功率放大器形成于砷化镓芯片上。

5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，其还包括：

耦接于电源端和接地端之间的电容C15，电容C15为片上电容。

6.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于，第一偏置电路包括电阻R1、电容C12，双极型晶体管T6、T4和T5，电阻R1的一端与参考电压端相连，电阻R1的另一端与双极型晶体管T5的集电极相连，双极型晶体管T5的基极与其集电极相连，双极型晶体管T5的发射极与双极型晶体管T4的集电极相连，双极型晶体管T4的基极与其集电极相连，双极型晶体管T4的发射极接地，电容C12耦接于双极型晶体管T6的基极和接地端之间，双极型晶体管T6的基极与双极型晶体管T5的集电极相连，双极型晶体管T6的集电极与参考电压端相连，双极型晶体管T6的发射极耦接于第一射频功率放大晶体管的基极；

第二偏置电路包括电阻R2、电容C13，双极型晶体管T7、T8和T9，电阻R2的一端与参考电压端相连，电阻R2的另一端与双极型晶体管T8的集电极相连，双极型晶体管T8的基极与其集电极相连，双极型晶体管T8的发射极与双极型晶体管T7的集电极相连，双极型晶体管T7的基极与其集电极相连，双极型晶体管T7的发射极接地，电容C13耦接于双极型晶体管T9的基极和接地端之间，双极型晶体管T9的基极与双极型晶体管T8的集电极相连，双极型晶体管T9的集电极与参考电压端相连，双极型晶体管T9的发射极耦接于第二射频功率放大晶体管的基极；

第三偏置电路包括电阻R3、电容C14，双极型晶体管T10、T11和T12，电阻R3的一端与参考电压端相连，电阻R3的另一端与双极型晶体管T11的集电极相连，双极型晶体管T11的基极与其集电极相连，双极型晶体管T11的发射极与双极型晶体管T10的集电极相连，双极型晶体管T10的基极与其集电极相连，双极型晶体管T10的发射极接地，电容C14耦接于双极型晶体管T12的基极和接地端之间，双极型晶体管T12的基极与双极型晶体管T11的集电极相连，双极型晶体管T12的集电极与参考电压端相连，双极型晶体管T12的发射极耦接于第三射频功率放大晶体管的基极，

电容C12-C14为片上电容。