[发明专利]调节器在审
申请号: | 201810020546.1 | 申请日: | 2018-01-10 |
公开(公告)号: | CN108153372A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
发明(设计)人: | 龚劲峰;王永刚;常建光 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 刘倜 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调节器 电源输出 输出模块 放大器 传输晶体管 调节信号 控制电极 输出阻抗 缓冲级 电容 极点 芯片 接收参考电压 反馈信号 接收电源 控制端子 控制信号 频率响应 稳定电源 输出端 输入端 配置 电源 关联 输出 期望 外部 | ||
本公开涉及调节器。一种芯片上的调节器,包括:输入端,用于接收来自芯片外部的电源;输出端,用于提供电源输出;输出模块,用于接收电源,并提供电源输出,其中输出模块包括传输晶体管,传输晶体管具有控制电极电容,控制电极电容使得调节器在频率响应中呈现次要极点;放大器,其接收参考电压和与电源输出相关联的第一反馈信号,并提供用于稳定电源输出的调节信号;缓冲级,其接收调节信号,并提供控制信号到输出模块的控制端子,其中缓冲级被配置为呈现比放大器的输出阻抗低的输出阻抗,并被配置为使得次要极点在期望的增益频率范围之外。
技术领域
本公开涉及调节器(regulator),更具体地,涉及芯片上(on-chip)调节器。
背景技术
在集成电路中广泛地使用调节器(regulator)。在诸如CMOS图像传感器(CIS)的CMOS集成电路中广泛地使用芯片上(on-chip)电压调节器。调节器可以向芯片上或中的其他电路(比如,内部电路)提供更好质量的电源。
因此,需要提供改进的低压降(LDO)调节器。
发明内容
根据本公开的一个方面,提供了一种芯片上的调节器,包括:输入端,用于接收来自芯片外部的电源;输出端,用于提供电源输出;输出模块,用于接收所述电源,并提供所述电源输出,其中所述输出模块包括传输晶体管,所述传输晶体管具有控制电极电容,所述控制电极电容使得所述调节器在频率响应中呈现次要极点;放大器,其接收参考电压和与所述电源输出相关联的第一反馈信号,并提供用于稳定所述电源输出的调节信号;缓冲级,其接收所述调节信号,并提供控制信号到所述输出模块的控制端子,其中所述缓冲级被配置为呈现比所述放大器的输出阻抗低的输出阻抗,并被配置为使得所述次要极点在期望的增益频率范围之外。
根据本公开的另一方面,提供了一种芯片,其包括根据任意实施例的调节器。
根据本公开的实施例,可以提供改进的调节器,可以降低调节器所占用的芯片面积。根据本公开的一些实施例,由于缓冲级的输出可以从下电源轨(例如,GND)到上电源轨(VPS),因此可以提高调节器的性能。根据本公开的一些实施例,还可以提高调节器的稳定性和可靠性。根据本公开的一些实施例,还可以提高对工艺和器件变化的鲁棒性。根据本公开的一些实施例,可以改善IC产率。
根据本公开实施例的调节器可以具有低的压降,并可以支持高的电流负载范围。根据本公开的一些实施例,可以提供输出轨到轨的缓冲级,从而可以减小功率MOSFET的尺寸。根据本公开的一些实施例,在调节器中采用了更准确的电流感测电路,从而改善了调节器性能,并可以确保调节器对于PVT测试和在不同制造厂商制造时的稳定性。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
附图构成说明书的一部分,示出了本公开的一些实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。根据下面参照附图的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,在附图中:
图1是示出根据本公开一个实施例的包括调节器的芯片的示意图;
图2示出了根据本公开一个实施例的芯片上的调节器的示意图;
图3示出了根据本公开一个实施例的调节器的示意图;
图4示出了根据本公开一个实施例的进一步改进的调节器的示意图;
图5示出了根据本公开进一步实施例的调节器的示意图。
注意,在以下说明的实施方式中,有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分,而省略其重复说明。在本说明书中,使用相似的标号和字母表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
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