[发明专利]一种黑硅电池片的清洗槽工艺

权利要求书

1.一种黑硅电池片的清洗槽工艺，其特征在于，包括如下工艺步骤：

第1步，预清洗：首先，将待清洗的黑硅电池片进行上料，上料后，利用HF+HNO₃混合液体辅助以循环和鼓泡的方式在温度为7-9℃下对黑硅电池片处理1min，此过程中不断进行循环抽风；

第2步，第一次纯水清洗：对于清洗后的黑硅电池片进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；

第3步，制绒：将第一次纯水清洗后的黑硅电池片，利用HF+H₂O₂+ADD母液+ADD补液辅助以循环、冷却、加热和鼓泡的方式在温度为25-30℃对黑硅电池片处理3.5min，此过程处理两次，包括不断进行循环抽风；

第4步，第二次纯水清洗：将制绒后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min，此过程处理两次；

第5步，HNO₃清洗：将第二次纯水清洗后的黑硅电池片进行HNO₃清洗，利用HNO₃辅助以鼓泡的方式处理3min，此过程处理两次，不断进行抽风；

第6步，第三次纯水清洗：将HNO₃清洗处理后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；

第7步，HF+HCL+H₂O₂清洗：将第三次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL+H₂O₂清洗，利用HF+HCL+H₂O₂辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；

第8步，第四次纯水清洗：将HF+HCL+H₂O₂清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；

第9步，碱洗：第四次纯水清洗后的黑硅电池片进行碱洗步骤，利用KOH辅助以鼓泡的方式在一定温度下处理1min，此过程不断进行抽风；

第10步，第五次纯水清洗：将碱洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；

第11步，HCL+H₂O₂清洗：将第五次纯水清洗后的黑硅电池片进行HCL+H₂O₂清洗，利用HCL+H₂O₂辅助以鼓泡的方式处理1min，此过程不断进行抽风；

第12步，第六次纯水清洗：将HCL+H₂O₂清洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；

第13步，HF+HCL酸洗：将第六次纯水清洗后的黑硅电池片进行HF+HCL酸洗，利用HF+HCL辅助以鼓泡的方式处理2min，此过程不断进行抽风；

第14步，第七次纯水清洗：将HF+HCL酸洗后的黑硅电池片再进行纯水清洗，利用DI水辅助以溢流和鼓泡的方式清洗2min；

第15步，预脱水：第七次纯水清洗后的黑硅电池片进行预脱水步骤，利用DI水辅助以慢提的方式在温度为50-80℃下处理2min，此过程不断进行抽风；

第16步，槽式烘干：将预脱水后的黑硅电池片进行槽式烘干，利用热氮气辅助以在线烘干的方式在温度为不超过80℃下处理6min，此过程处理两次，不断进行抽风；

第17步，下料：槽式烘干处理后的黑硅电池片进行下料步骤。