[发明专利]半导体发光结构及半导体封装结构有效
| 申请号： | 201810020131.4 | 申请日： | 2014-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN108054265B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 吴志凌;黄逸儒;罗玉云;黄靖恩;丁绍滢 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/50 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 结构 封装 | ||
1.一种半导体发光结构，其特征在于，包括：
一磊晶结构；
一N型电极垫与一P型电极垫，相间隔地设置于所述磊晶结构上并分别与所述磊晶结构电性连接；
一金属增高垫，设置于所述磊晶结构上并位于所述N型电极垫与所述P型电极垫之间；以及
一绝缘层，设置于所述磊晶结构上且覆盖所述金属增高垫，所述N型电极垫与所述P型电极垫分别透过所述绝缘层上的孔洞与所述磊晶结构电性连接；
其中，所述N型电极垫的一上表面与所述P型电极垫的一上表面实质上共平面。
2.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述绝缘层的一上表面与所述P型电极垫的所述上表面实质上共平面。
3.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述金属增高垫与所述N型电极垫和所述P型电极垫相间隔设置。
4.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，所述金属增高垫与所述磊晶结构电性连接。
5.根据权利要求1所述的半导体发光结构，其特征在于，还包括一基板，所述磊晶结构形成于所述基板上。
6.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
一承载座；
一N型接合垫与一P型接合垫，设置于所述承载座上，所述N型接合垫与所述P型接合垫之间存在一凹槽；以及
一根据权利要求1至5中任一项所述的半导体发光结构，所述N型电极垫电性连接于所述N型接合垫，且所述P型电极垫电性连接于所述P型接合垫。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括一绝缘材料，填充于所述凹槽内。
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述绝缘材料接触所述绝缘层。
9.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括一波长转换体，包覆所述半导体发光结构且暴露所述半导体发光结构与所述承载座连接的表面。
10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述的半导体封装结构还包括一平坦的侧表面，所述平坦的侧表面包含所述波长转换体及所述承载座。
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