[发明专利]差共模集成电感及其散磁屏蔽结构

说明书

本发明提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构。该散磁屏蔽结构，包括磁芯，所述磁芯具有气隙，所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部，所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接，所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。本发明利可以用磁性材料制成散磁屏蔽部，从而将气隙的位置局部或者整体包裹起来，以阻挡散磁外漏，并使得散磁通过散磁屏蔽部重新回到主磁路上去，解决了现有复合型共模电感技术中的散磁辐射干扰问题。

技术领域

本发明涉及电感技术领域，特别涉及一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构。

背景技术

在开关电源应用领域中，共模电感应用较广泛，主要是起补偿杂散容性电流，滤除电力系统中的有害次谐波，同时也具备抑制合闸涌流、限制短路电流、防雷、阻波、提高功率因数等作用。

共模电感器是由两组匝数相同、绕向相反的绕组构成，通常两绕组绕制在单一封闭的磁环上。传统共模电感工作低效(通常用两级或多级)，损耗值高、应用频率窄、体积大，不能促进国内开关电源往可塑性高性能方向发展。

为拓宽应用频段，减小体积，方便自动化加工，近年来，又诞生了若干种差共模集成电感，如下图1所示。图1中，(a)为EI形磁芯，(b)为EU形磁芯，(c)为EE形磁芯，(d)为日字形磁芯。

图1中的电感在传统电感基础上，增加了用于提高差模分量的磁路通道，其中，磁芯具有中柱，该类集成电感的应用频段显著提升，完成相同电气指标，体积可以设计得更小。但是，同样存在弊端，这是由于用于增加差模分量的磁芯中柱，必须开气隙，否则通过该中柱的磁通极易饱和，会失去增加该中柱的意义。

但是，磁通经过中柱气隙时，会有大量的磁通泄露到空中，造成电磁辐射污染；同时该类复合电感有部分磁芯是组合型的，在磁芯拼接缝处也会有磁通泄露，同样存在电磁辐射污染问题，如图2中的虚线所示，代表磁通泄露情况。

发明内容

本发明提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构，以解决现有技术中气隙处会有大量的磁通泄露到空中，造成电磁辐射污染的问题。

为解决上述问题，作为本发明的一个方面，提供了一种差共模集成电感的散磁屏蔽结构，包括磁芯，所述磁芯具有气隙，所述散磁屏蔽结构还包括用于屏蔽由所述气隙泄露出的磁通的散磁屏蔽部，所述散磁屏蔽部与所述磁芯连接，所述气隙的至少一分部的被所述散磁屏蔽部遮挡。

优选地，所述磁芯包括E形磁芯部及与所述E形磁芯部配合的I形磁芯部，所述散磁屏蔽部包括对应于所述磁芯的中柱气隙位置处的侧板，所述侧板与I形磁芯部连接，且所述侧板向所述E形磁芯部的一侧延伸。

优选地，所述I形磁芯部上平行地设置有两个所述侧板，所述中柱气隙位于所述两个侧板之间。

优选地，所述磁芯包括E形磁芯部及与所述E形磁芯部配合的I形磁芯部，所述散磁屏蔽部包括套管，所述套管与I形磁芯部连接，且所述磁芯的中柱气隙容纳在所述套管中。

优选地，所述散磁屏蔽部还包括设置在所述I形磁芯部的朝向所述E形磁芯部一侧表面上的凹槽，所述E形磁芯部的侧柱的自由端位于所述凹槽中。

优选地，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部A和E形磁芯部B，所述E形磁芯部A的中柱的端部形成有用作所述散磁屏蔽部的套管，所述E形磁芯部B的中柱的自由端容纳在所述套管中。

优选地，所述磁芯为“日”字形磁芯，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述“日”字形磁芯的中柱气隙所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。

优选地，所述磁芯包括相互配合的E形磁芯部和U形磁芯部，所述散磁屏蔽部的截面呈U形，所述磁芯的中柱气隙所在的一侧卡在所述U形的凹槽中。

优选地，所述散磁屏蔽部与所述磁芯是相互分立的部分、或所述散磁屏蔽部与所述磁芯是一体成型的。