[发明专利]一种防氧化的光伏焊带在审
| 申请号： | 201810017310.2 | 申请日： | 2018-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN108155263A | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 胡拥峰;魏磊;吴迪;魏巍;刘磊 | 申请（专利权）人： | 深圳市华光达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 深圳市深科信知识产权代理事务所(普通合伙) 44422 | 代理人： | 彭光荣 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铜基 导电镀层 焊带 光伏焊带 平整区 镀层 焊接 防氧化层 电池片 防氧化 下表面 对称 导电性能 侧面 传统的 上表面 条带式 保证 传导 电量 平整 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种光伏焊带，其特征在于，包括：
铜基带，所述铜基带包括平整区和对称的两个槽；
焊接镀层，所述焊接镀层覆于所述两个槽内；
导电镀层，所述导电镀层覆于所述铜基带的上表面和所述铜基带的平整区的下表面；
防氧化层，所述防氧化层覆于所述导电镀层的外表面和所述铜基带的侧面。
2.根据权利要求1所述的光伏焊带，其特征在于，所述防氧化层为二氧化硅薄膜层。
3.根据权利要求1所述的光伏焊带，其特征在于，所述防氧化层的厚度为400-600nm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述槽的截面呈矩形。
5.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述槽的宽度为0.15-3mm。
6.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述焊接镀层为锡-银-铅-铁合金。
7.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述导电镀层为镍合金、锡合金、铜-锡合金中的任一种。
8.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述焊接镀层的厚度为15-20μm。
9.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述导电镀层的厚度为0.1-2μm。
10.根据权利要求1-3任一项所述的光伏焊带，其特征在于，所述防氧化层的下表面与所述焊接镀层的下表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
