[发明专利]一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料及其应用有效
申请号: | 201810015621.5 | 申请日: | 2018-01-08 |
公开(公告)号: | CN108047211B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 陆知纬 | 申请(专利权)人: | 无锡佶达德光电子技术有限公司 |
主分类号: | C07D405/14 | 分类号: | C07D405/14;C09K11/06;H01S5/36 |
代理公司: | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 沈振涛 |
地址: | 214191 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 吡唑 乙酸 香豆素 衍生物 激光 材料 及其 应用 | ||
1.一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料,其结构式为:
2.根据权利要求1所述的一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料,其特征在于:该双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料的熔点在170.1以上。
3.根据权利要求1所述的一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料,其特征在于:该双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料的PL发射峰的半峰全宽在4.1nm以下。
4.根据权利要求1所述的一种双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料,其特征在于:该双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料的增益系数在97-101cm-1之间。
5.权利要求1所述的双吡唑乙酸香豆素衍生物激光材料在激光器中的应用。
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