[发明专利]封闭空腔结构及其制造方法和超声波指纹传感器

权利要求书

1.一种制造封闭空腔结构的方法，包括：

在支撑层上形成模板层；

在所述模板层中形成第一开口；

在所述模板层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述模板层；

在所述停止层上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层填充所述第一开口；

在所述停止层上形成至少一个掩模层；

在所述至少一个掩模层中形成弯折的释放通道；

经由所述释放通道去除所述第一牺牲层以形成空腔；以及

在所述至少一个掩模层上形成密封层，以封闭所述释放通道，从而形成封闭空腔。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成至少一个掩模层的步骤包括堆叠的第一掩模层和第二掩模层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，形成弯折的释放通道的步骤包括：

在所述第一掩模层中形成第二开口；以及

在所述第二掩模层中形成第三开口，

其中，所述第二开口与所述第三开口彼此横向偏离且连通。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在形成所述第二开口和所述第三开口的步骤之间，还包括：

形成第二牺牲层，所述第二牺牲层包括填充所述第二开口的第一部分以及在所述第一掩模层表面横向延伸的第二部分，

其中，所述第二掩模层覆盖所述第二牺牲层，所述第三开口到达所述第二牺牲层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在形成所述第三开口的步骤之后，还包括：经由所述第三开口去除所述第二牺牲层，以形成横向通道，其中，所述释放通道包括所述第二开口、所述第三开口以及将二者连通的横向通道。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二开口和所述第三开口的形状分别为选自圆形、椭圆形、方形、菱形、环形中的任意一种。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第二开口和所述横向通道分别为中心圆孔，所述第三开口为围绕所述中心圆孔的多个周边圆孔。

8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第三开口和所述横向通道分别为中心圆孔，所述第二开口为围绕所述中心圆孔的多个周边圆孔。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中，所述第二开口和所述第三开口的直径小于所述横向通道的直径。

10.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层分别由氧化硅组成。

11.根据权利要求5所述的方法，其中，所述阻止层、所述第一掩模层和所述第二掩模层分别由耐蚀材料组成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述耐蚀材料包括选自钽、金、氮化铝、氧化铝和非晶硅中的任意一种。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑层包括选自半导体衬底、绝缘层、金属层和芯片中的任意一种。

14.一种封闭空腔结构，包括：

位于支撑层上的模板层，所述模板层包括第一开口；

位于所述模板层上的停止层，所述停止层共形地覆盖所述模板层，从而形成与所述第一开口对应的空腔；

位于所述停止层上的至少一个掩模层；

位于所述至少一个掩模层中的弯折的释放通道；以及

位于所述至少一个掩模层上的密封层，

其中，所述停止层和所述至少一个掩模层共同围绕所述空腔，所述密封层封闭所述释放通道，从而形成封闭空腔。

15.根据权利要求14所述的封闭空腔结构，其中，所述至少一个掩模层包括堆叠的第一掩模层和第二掩模层。