[发明专利]一种LED制备工艺有效
| 申请号： | 201810012661.4 | 申请日： | 2018-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108198915B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李丹丹 | 申请（专利权）人： | 廊坊熙泰科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 11638 北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐小淇 |
| 地址： | 065000 河北省廊坊市经济技*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子阱层 量子垒层 载片盘 高亮度LED 制备工艺 发光层 沉积 衬底 金属有机化学气相沉积 掺入量 氮化镓 缓冲层 掺入 生长 | ||
1.一种LED制备工艺，其特征在于，包括：通过金属有机化学气相沉积工艺依次沉积在衬底上的缓冲层、N型GaN层、发光层、P型GaN层；所述衬底置于旋转的载片盘上，所述发光层包括周期性层叠的量子阱层和量子垒层，所述周期性层叠的量子阱层、量子垒层至少其中之一为高速量子阱层、低速量子垒层，形成所述高速量子阱层时载片盘的转速大于形成所述低速量子垒层时载片盘的转速。
2.如权利要求1所述的一种LED制备工艺，其特征在于，形成所述高速量子阱层的温度等于形成所述低速量子垒层的温度。
3.如权利要求1或2所述的一种LED制备工艺，其特征在于，所述高速量子阱层与所述低速量子垒层为相邻的量子阱层与量子垒层。
4.如权利要求3所述的一种LED制备工艺，其特征在于，所述高速量子阱层与所述低速量子垒层距离所述P型GaN层的距离小于距离所述N型GaN层的距离。
5.如权利要求3所述的一种LED制备工艺，其特征在于，所述高速量子阱层与所述低速量子垒层之间至少其中之一设置氮化铟层。
6.如权利要求5所述的一种LED制备工艺，其特征在于，所述氮化铟层与所述低速量子垒层之间设置铝镓氮层。
7.如权利要求6所述的一种LED制备工艺，其特征在于，形成所述氮化铟层载片盘的转速、温度与形成所述高速量子阱层载片盘的转速、温度相等，形成所述铝镓氮层载片盘的转速、温度与形成所述低速量子垒层载片盘的转速、温度相等。
8.如权利要求1所述的一种LED制备工艺，其特征在于，形成所述高速量子阱层载片盘的转速为600～1200rpm，形成所述低速量子垒层载片盘的转速为100～500rpm。
9.如权利要求8所述的一种LED制备工艺，其特征在于，形成所述高速量子阱层的温度为700～1000℃，形成所述低速量子垒层为的温度为700～1000℃。
10.如权利要求9所述的一种LED制备工艺，其特征在于，形成所述高速量子阱层载片盘的转速、温度分别为900rpm、850℃，形成所述低速量子垒层载片盘的转速、温度分别为300rpm、850℃。
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