[发明专利]一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，其特征在于，其化学组成通式为Zn10Sb90O_x，其中x代表不同的掺氧量标记，x＝0.5、1、1.2、1.5。

2.如权利要求1所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料，其特征在于，材料的厚度为45-65nm。

3.一种掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，

衬底采用SiO₂/Si(100)基片，溅射靶材为Zn10Sb90，通过在射频溅射沉积Zn10Sb90薄膜的过程中同时通入氩气和氧气，并在纳米量级制备而成；其中氩气和氧气的总流量为30sccm。

4.如权利要求3所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，Zn10Sb90靶材的纯度原子百分比在99.999％以上，本底真空度不大于1×10^-4Pa。

5.如权利要求3所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，Zn10Sb90靶材采用射频电源，溅射功率为25-35W。

6.如权利要求3所述的掺氧的Zn10Sb90纳米相变薄膜材料的制备方法，其特征在于，

具体包括以下步骤：

1)清洗SiO₂/Si(100)基片；

2)安装好溅射靶材；设定溅射功率，设定溅射Ar气和O₂气的气体流量及溅射气压；

3)将空基托旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶上的射频电源，设定的溅射时间150～250s，开始对Zn10Sb90靶材表面进行溅射，清洁Zn10Sb90靶位表面；

4)关闭Zn10Sb90靶位上所施加的射频电源，将待溅射的基片旋转到Zn10Sb90靶位，打开Zn10Sb90靶位上的射频电源，依照设定的溅射时间，开始溅射Zn10Sb90Ox薄膜；溅射完毕后获得所述的掺氧Zn10Sb90纳米相变薄膜材料；

5)重复步骤2)-4)，改变Ar气和O₂气的流量比例，在SiO₂/Si(100)基片上分别制备出Zn10Sb90O_x(x＝0.5、1、1.2、1.5)纳米相变薄膜材料。