[发明专利]一种图形化蓝宝石衬底的制备方法有效
申请号: | 201810012156.X | 申请日: | 2018-01-05 |
公开(公告)号: | CN108321261B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 康凯;付星星;陆前军 | 申请(专利权)人: | 东莞市中图半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 罗晓林;杨桂洋 |
地址: | 523000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 图形 蓝宝石 衬底 制备 方法 | ||
1.一种图形化蓝宝石衬底的制备方法,包括以下步骤:
步骤一,对蓝宝石衬底进行清洗;
步骤二,在蓝宝石衬底表面形成一层光刻胶掩膜图形;
步骤三,将带有光刻胶掩膜图形的蓝宝石衬底放入ICP干法刻蚀设备内进行刻蚀操作,往ICP干法刻蚀设备分别通入BCl3气体和CHF3气体,形成混合气体,该混合气体中CHF3气体流量与BCl3气体流量的比例值范围在0-40%,同时,在托盘底部通入He气,以在刻蚀过程中对蓝宝石衬底进行冷却,利用He气冷却的冷却温度的调控范围为-20℃-40℃,刻蚀操作由主刻蚀阶段和过刻蚀阶段构成,主刻蚀时间大于过刻蚀时间,制备得到图形化蓝宝石衬底;在 BCl3气体中混入一定比例的CHF3气体,CHF3气体使干法刻蚀过程中的副产物重新沉积到掩膜的顶部、掩膜图形之间的间距区和蓝宝石图形的侧壁表面,掩膜顶部的副产物发挥二次掩膜的作用;
所述步骤三中ICP干法刻蚀设备内上电极功率为1000-1500W,下电极功率为200-800W,其中主刻蚀阶段的下电极功率为200-700W,主刻蚀时间占总刻蚀时间的60%-80%,过刻蚀阶段的下电极功率范围为700-800W,过刻蚀时间占总刻蚀时间的20%-40%;
所述步骤三中ICP干法刻蚀设备内输入的BCl3气体流量范围为50 sccm-120 sccm,CHF3气体流量为0 sccm-40 sccm, CHF3/BCl3气体输入流量比范围为0-40%。
2.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤三中ICP干法刻蚀设备的内部压强调控范围为1.5mT-5mT。
3.根据权利要求1所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤一具体包括:将蓝宝石衬底放入浓硫酸与双氧水混合溶液中浸泡清洗,浓硫酸与双氧水的体积比为5:1-3:1,混合溶液温度控制在100℃-150℃,清洗时间为10分钟-30分钟。
4.根据权利要求3所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤一中的蓝宝石衬底的尺寸规格为2英寸、4英寸或6英寸。
5.根据权利要求4所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤二具体包括:在蓝宝石衬底表面涂覆光刻胶掩膜层,采用旋涂或喷涂方式进行涂覆,光刻胶掩膜层的厚度为1.0μm-10μm;然后对带有光刻胶掩膜层的蓝宝石衬底进行步进式曝光,经显影后,获得带有光刻胶掩膜图形的蓝宝石衬底。
6.根据权利要求5所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤二中显影后的光刻胶掩膜图形的周期为1.0μm-10μm,光刻胶掩膜图形底径为0.75μm-9μm,图形高度为0.95μm-9.9μm。
7.根据权利要求6所述的图形化蓝宝石衬底的制备方法,其特征在于,所述步骤二中显影后的光刻胶掩膜图形形貌为圆柱状、圆台状或倒圆台状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞市中图半导体科技有限公司,未经东莞市中图半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810012156.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。