[发明专利]显示面板和显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板和显示装置。所述显示面板包括基板，具有多个像素区；主动开关，形成于基板上；透明导电层，与主动开关电连接；有机发光二极管；形成于透明导电层上；公共电极层，覆盖在有机发光二级管上；所述主动开关包括半导体层，所述半导体层由含锗元素的半导体材料制成，所述半导体层电子迁移率大于3cm2/vs。本发明可以提高主动开关的迁移率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制程和显示装置。

背景技术

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CFSubstrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。液晶面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

另有一种OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器，采用机发光二极管自发光来进行显示，具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。OLED显示器也需要采用薄膜晶体管进行控制，但传统非晶硅结构的薄膜晶体管迁移率(mobility)较低，无法适用于OLED显示器。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种提高半导体层迁移率的显示面板。

为解决上述问题，本发明的实施例提供的显示面板包括：

一种显示面板，所述显示面板包括：

基板，具有多个像素区；

主动开关，形成于基板上；

有机发光二极管；形成于透明导电层上；

所述主动开关包括半导体层，所述半导体层由含锗元素的半导体材料制成，所述半导体层采用化学汽相淀积制成，其制程的气体比率为：GeH₄/SiH₄＝0.1～10，SiH₄/N₂O＝0.1～10，GeH₄/N₂O＝0.1～10。

进一步的，所述半导体层包括硅锗氧化物。一般非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)的迁移率都较低，小于1cm²/V-s。而采用硅锗氧化物其迁移率可以超过1cm²/V-s，甚至于超过2cm²/V-s。锗(Ge)是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近。在自然中，锗共有五种同位素，原子量在70至76之间。它能形成许多不同的有机金属化合物。锗的导电的本领优于一般非金属，劣于一般金属，熔密度为5.32克/cm，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率。将锗掺杂到主动开关的半导体层40内，能有效提高迁移率，满足OLED显示的要求。

进一步的，所述半导体层包括第一掺杂层，有源层和第二掺杂层，所述有源层设置在第一掺杂层和第二掺杂层之间，所述有源层包括所述硅锗氧化物。