[发明专利]激光加工装置

说明书

提供激光加工装置，其能够将激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，从而将适当厚度的晶片从锭分离。激光加工装置(2)从锭(60)的端面将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于锭内部而进行照射而形成剥离层，其中，该激光加工装置包含：保持单元(6)，其对锭进行保持并沿着与锭的端面(64)平行的端面方向移动；激光光线照射单元(10)，其对该保持单元所保持的锭照射激光光线，并具有聚光器(40)，该聚光器(40)使聚光点在相对于该端面(64)成直角的方向上移动；拍摄单元(12)，其对该保持单元所保持的锭的该端面方向的位置进行检测；以及高度检测单元(13)，其对锭的端面的高度进行检测。

技术领域

本发明涉及激光加工装置，其将激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，形成用于将晶片从锭分离的剥离层。

背景技术

IC、LSI、LED等器件是在以硅(SiC)、蓝宝石(Al₂O₃)等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层并利用分割预定线进行划分而形成的。并且，通过切削装置、激光加工装置对晶片的分割预定线实施加工而分割成各个器件而被用于移动电话、个人计算机等电气设备。

另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC作为原材料的晶片的正面上层叠功能层并利用分割预定线进行划分而形成的。公知形成该器件的晶片通常是利用线切割机对锭进行切片而生成的，对切片得到的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(例如，参照专利文献1)。

但是，当利用线切割机将单晶SiC的锭切断并对正面和背面进行研磨而生成晶片时，锭的70～80％会被浪费，因此存在不经济的问题，特别是单晶SiC，其硬度高，难以利用线切割机进行切断，切断需要花费相当长的时间，生产率差，在高效地生成晶片方面存在问题。因此，近年来提出了下述技术：将对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，在切断预定面上形成剥离层而将晶片分离(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2000-094221号公报

专利文献2：日本特开2013-049461号公报

为了将激光光线的聚光点定位于锭的内部而形成剥离层从而高效且准确地分离规定的厚度的晶片，需要考虑锭的上侧的端面的高度，但每当将晶片从锭分离时，锭的端面的高度发生变化，不仅根据分离出的晶片的厚度变化，还由于在分离后对锭的正面进行研磨而发生变化。当在这种锭的端面的高度不明确的状态下想要进行将晶片分离的加工时，不清楚应该将激光光线的聚光点从锭的端面定位于深度方向的哪个位置，也可能在要剥离的晶片的厚度上产生偏差等。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供一种激光加工装置，其能够将激光光线的聚光点定位于锭的内部而进行照射，对适当的厚度的晶片进行分离。

根据本发明，提供激光加工装置，其从锭的端面将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于锭内部而进行照射，在锭内部形成剥离层，其中，该激光加工装置具有：保持单元，其对锭进行保持并沿着与锭的端面平行的端面方向移动；激光光线照射单元，其对该保持单元所保持的锭照射激光光线，该激光光线照射单元具有聚光器，该聚光器使聚光点在相对于该端面成直角的方向上移动；拍摄单元，其对该保持单元所保持的锭的该端面方向的位置进行检测；高度检测单元，其对锭的该端面的高度进行检测；以及聚光点定位单元，其根据该高度检测单元的检测值，将该聚光器的聚光点定位于距离锭的该端面对应于晶片的厚度的位置。

优选该高度检测单元具有：接触端子；移动部，其使该接触端子移动至与该保持单元所保持的锭的端面接触为止；以及标尺，其对该接触端子的位置进行检测。另外优选该接触端子与该拍摄单元相邻地配设，该标尺和该移动部使用构成该拍摄单元的标尺和移动部。