[发明专利]一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法

权利要求书

1.一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)烧坯合金在真空或氩气气氛中熔化成熔体，将熔体在1300～1600℃浇注到急冷辊上形成鳞片，急冷辊转速为20～60r/min；

2)步骤1)形成的鳞片经过HD制粉，气流磨，制成粒度为2～10μm的粉末；

3)步骤2)制得的粉末在15KOe的磁场中取向成型，制成生坯，将生坯放入Ar气氛下的烧结炉中，在900～1300℃下烧结1～100h；

4)将步骤3)烧结后的生坯在450～650℃温度下时效2～50h，得到烧坯；

5)将步骤4)所得烧坯经硝酸酸洗、超声波水洗，柠檬酸活化后，在Dy₂(OH)₅NO₃·H₂O液中电泳4～20min，使电泳层均匀包覆在烧坯表面；

6)将电泳后的烧坯烘干，置入真空热处理炉内热处理，即得所需的磁体。

2.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤1)中所述浇注温度为1400～1500℃；所述急冷辊转速为30～50r/min。

3.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤2)中所述粉末粒度为3～5μm。

4.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤3)中所述烧结温度为1000～1100℃，烧结2～50h。

5.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤4)中所述时效温度为450～500℃，时效4～20h，所述烧坯的通式为(Nd_aRE_1-a)_xFe_100-x-y-zM_yB_z，Nd为钕元素，RE为Pr、Tb、Dy、Sc、Y、La、Ce、Sm、Eu、Gd、Ho、Er、Yb、Lu中的一种或几种；Fe为铁元素，M为Nb、V、Ti、Co、Cr、Mo、Mn、Ni、Ga、Zr、Ta、Ag、Au、Al、Pb、Cu、Si元素中的一种或几种，B为硼元素；a、x、y、z满足以下关系：0.9≤a≤1、12≤x≤16、0≤y≤1.5、5.5≤z≤6.5。

6.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，步骤5)中所述硝酸浓度为3％(质量分数)，酸洗时间为20～40s，超声波水洗时间为30～50s，所述柠檬酸浓度为5％(质量分数)，活化时间为4～7s。

7.根据权利要求1所述的一种晶界扩散渗Dy制备高性能钕铁硼磁体的方法，其特征在于，所述热处理工艺为600～950℃温度处理4～10h，真空度控制在(3～5)×10^-3Pa。