[发明专利]形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法

权利要求书

1.一种形成金属-二维过渡族金属半导体材料良好欧姆接触的方法，包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜，其特征在于，具体步骤如下：

（1）在衬底上淀积一层金属前驱体薄膜；

（2）在金属前驱体薄膜上淀积金属电极的粘附层以及金属电极；

（3）进一步在金属前驱体薄膜上进行硫化，形成二维过渡族金属化合物薄膜；

其中，所述金属前驱体为过渡族金属，包括钼或钨；所述金属电极的粘附层材料为Ti、Ni、Cr、Hf中的一种，或其中几种的组合；所述金属电极材料为Ag、Au或Pt。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述过渡族金属化合物薄膜，采用物理气相沉积、电子束蒸发或磁控溅射方法淀积。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属粘附层以及金属电极采用光刻或者硬掩膜的方法形成，包括：在金属前驱体上做出电极所需图形的掩膜；通过物理气相沉积、电子束蒸发或者磁控溅射淀积金属电极。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述掩膜是使用光刻工艺，通过曝光、显影手段将光刻胶曝光成所需的图形；或者使用硬掩膜手段，将含有电极图形的硬掩膜紧贴在前驱体层上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，由于金属前驱体可以大面积制备，并可控制厚度，步骤（3）中，可以通过控制金属前驱体薄膜的面积和厚度，得到面积大、且薄膜层数可控的过渡族金属化合物薄膜。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述过渡族金属化合物薄膜采用化学气相沉积方法生成。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为耐高温的玻璃衬底、蓝宝石衬底、石英衬底或硅衬底。