[发明专利]低功耗电流饥饿型振荡器电路

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路设计领域，特别涉及一种低功耗电流饥饿型振荡器电路。

背景技术

随着集成电路技术的发展，集成电路中的振荡器对低功耗、高稳定的需求也越来越强烈；传统的环路振荡器功耗随电源电压变化的影响明显，传统的迟滞振荡器也存在功耗大，电路复杂的缺陷。

发明内容

本发明提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，其目的是为了解决振荡器功耗过大，影响电源电压变化的问题。

为了达到上述目的，本发明的实施例提供了一种低功耗电流饥饿型振荡器电路，包括：

电源端和接地端；

基准产生电路，与所述基准产生电路电连接的低压环形振荡器，以及与所述低压环形振荡器电连接的电压转换电路；

其中，所述基准产生电路包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第一PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第一PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的正输出端和第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端与所述接地端电连接；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第二PMOS管的栅极与误差放大器的输出端电连接，所述第二PMOS管的漏极分别与所述误差放大器的负输出端，第一电容的第一端和所述低压环形振荡器的低压电源端电连接，所述第一电容的第二端与所述接地端电连接。

其中，所述低压环形振荡器包括：

第一反相器，所述第一反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第一反相器的接地端口与所述接地端电连接；

第二反相器，所述第二反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第二反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第二反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接；

第三反相器，所述第三反相器的电源端口与所述低压电源端电连接，所述第三反相器的接地端口与所述接地端电连接，所述第三反相器的输入端分别与所述第二反相器的输出端和第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端与所述接地端电连接，所述第三反相器的输出端分别与所述第一反相器的输入端和所述电压转换电路电连接。

其中，所述电压转换电路包括：

输入端口和输出端口，且所述输入端口与所述低压环形振荡器电连接；

第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第三PMOS管的漏极分别与所述第三PMOS管的栅极，第四PMOS管的栅极，第五PMOS管的源极电连接；

第四PMOS管，所述第四PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第四PMOS管的漏极分别与第六PMOS管的源极，第三电容的第一端，第八PMOS管的栅极电连接；

第五PMOS管，所述第五PMOS管的栅极分别与第六PMOS管的栅极，第五PMOS管的漏极，第五NMOS管的漏极电连接；

第六PMOS管，所述第六PMOS管的漏极与所述接地端电连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极分别与电源端，第一NMOS管的栅极，第二NMOS管的栅极，第七NMOS管的栅极电连接，所述第一NMOS管的源极分别与第三NMOS管的漏极和栅极，第四NMOS管的漏极，第五NMOS管的栅极电连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的漏极与所述电源端电连接，所述第二NMOS管的源极分别与第四NMOS管的漏极，第四电容的第一端，第八NMOS管的栅极电连接；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与所述接地端电连接；

第四NMOS管，所述第四NMOS管的源极与所述接地端电连接；

第五NMOS管，所述第五NMOS管的源极与所述接地端电连接；

第七NMOS管，所述第七NMOS管的漏极与所述电源端电连接，所述第七NMOS管的源极与第七PMOS管的源极电连接；

第七PMOS管，所述第七PMOS管的栅极分别与第六NMOS管的栅极和所述输入端口电连接，所述第七PMOS管的漏极分别与第六NMOS管的漏极，第三电容的第二端，第四电容的第二端电连接；

第六NMOS管，所述第六NMOS管的源极与所述接地端电连接；

第八PMOS管，所述第八PMOS管的源极与所述电源端电连接，所述第八PMOS管的漏极分别与第八NMOS管的漏极和所述输出端口电连接；

第八NMOS管，所述第八NMOS管的源极与所述接地端电连接。

本发明的上述方案有如下的有益效果：